厂务空调部分专业英语，不全之处请大家补充！~(页 1) - Facility System[半导体厂务系统] - Cleanroom System[洁净室系统] - 半导体技术天地半导体,芯片,集成电路,设计,版图,制造,工艺,制程,封装,测试,wafer,chip,ic,design,eda,process,layout,package,FA,QA,diffusion,etch,photo,implant,metal,cmp,lithography,fab,fabless,MEMS,solar,SMT,PCB,LED

genesun 发表于 2007-4-18 22:35

厂务空调部分专业英语，不全之处请大家补充！~

AHU air hundling unit 空调箱 |A'kY[:Agf
air conditioning load空调负荷 ;q1\hxoR
air distribution气流组织 :BRB%Qr'Y
air handling unit 空气处理单元 Md3O6lD4O
air shower 风淋室
air wide pre.drop空气侧压降
aluninum accessaries in clean room 洁净室安装铝材 $Qzo'x.QIfY+`@5W
as-completed drawing 修改竣工图 3j!fu;PZ3ft
ayout 设计图
blass stop valve 铜闸阀 :I-K8D0p0Kss
canvas connecting termingal 帆布接头 +J!oV"c.P}"v
centigrade scale 摄氏温度 #|$W0Tt;f7f6M#ME
chiller accessaries 水冷柜机排水及配料
chiller asembly 水冷柜机安装工费 g7p I jUL'z4h*w
chiller unit 水冷柜机基础
clean bench 净化工作台
clean class 洁净度 d,Hd!i,B@q0iR6f
clean room 洁净室无尘室
correction factor修正系数 o8v9z'A'Km(B9V
dcc dry coll units 干盘管 3d2R?U*L X"LGf
district cooling 区域供冷
direct return system异程式系统 &m@;mya6r+n [/k
displacement ventilation置换通风 i5C7T{-u/L6`p8^3T{
drawn No.图号
elevation立面图
entering air temp进风温度
entering water temp进水温度
fahrenheit scale 华氏温度
FCU fan coil unit 风机盘管
FFU fan filter units 风扇过滤网组
final 施工图
flow velocity 流速 A$pUIqa*cX
fresh air supply 新风供给
fresh air unit 新风处理单元
ground source heat pump地源热泵 g8n;Ot6X^^
gross weight 毛重
heating ventilating and air conditioning 供热通风与空气调节 y}m1}Ay o
hepa high efficiency pariculate air 高效过滤网 (iqUeR^i+Om
high efficiency particulate air filters高效空气过滤器
horizontal series type水平串联式
hot water supply system生活热水系统 U{ vO2A#UKk
humidity 湿度 &w"o(w3h m"JeT
hydraulic calculation水力计算
isometric drawing轴测图 y8W9}$^0aj?\
leaving air temp 出风温度
leaving water temp出水温度
lood vacuum pump中央集尘泵 a2?Sw F9e2C
MAU make up air hundling unit schedule 外气空调箱
natural smoke exhausting自然排烟 Qa[m#I2q
net weight 净重
noise reduction消声 "^z_/uj A,g+\on
nominal diameter 公称直径
oil-burning boiler燃油锅炉 E!F(T"nrGy1W
one way stop peturn valve 单向止回阀
operation energy consumption运行能耗
pass box 传递箱 ?$M|%kFg5t(\ W
particle sizing and counting method 计径计数法 P"kdSx%ov.]1A\
Piping accessaries 水系统辅材
piping asembly 配管工费 4rPD(~;G G7D
plan 平面图
rac recirculation air cabinet unit schedule循环组合空调单元 (V6u/t-_GYN
ratio controller 比例调节器 %|^c!n5P_
ratio flow control 流量比例控制
ratio gear 变速轮 ratio meter 比率计 r3BPj_^4y(u
rational 合理性的，合法的；有理解能力的 Rn*w4{-T$G_B(WK.X
rationale （基本）原理；原理的阐述 w6B W^#c%K
rationality 有理性，合理性 "C%QQrc%q
rationalization proposal 合理化建义 ;[Q$xAg'nXK
ratio of compression 压缩比 o7S!}(fN3_*EO
ratio of expansion 膨胀比 [:btkZ
ratio of run-off 径流系数 5j%WLuu6B(]-B
ratio of slope 坡度
ratio of specific heat 比热比
raw 生的，原状的，粗的；未加工的 !K.O!M~Y[8|&T5sQ
raw coal 原煤 raw cotton 原棉
raw crude producer gas 未净化的发生炉煤气
raw data 原始数据
raw fuel stock 粗燃料油 r.s,r%ux0i-CL
raw gas 未净化的气体
real gas 实际气体 JH[2k[*QLb _
realignment 重新排列，改组；重新定线 \u ty6Kp5t
realm 区域，范围，领域
real work 实际工作 es/ON!wa8Wj$r\
ream 铰孔，扩孔 qT`GAK.C"r
rear 后部，背面，后部的
rear arch 后拱
rear axle 后轴
rear-fired boiler 后燃烧锅炉 9M#ET.S8Mm1i
rear pass 后烟道 %DFk5C8fv5Gs
rearrange 调整；重新安排[布置]
rearrangement 调整，整顿；重新排列[布置] S"Oqi2`;{1N@
reason 理由，原因；推理
reasonable 合理的，适当的 :Li0f;L]0sT
reassembly 重新装配
reaumur 列氏温度计 8rue4O"h$Qn
reblading 重装叶片，修复叶片 Ye!U&U!fC
recalibration 重新校准[刻度] `7Bm#D+\}R;[v@
recapture 重新利用，恢复 "oso~9j*VZ
recarbonation 再碳化作用
recast 另算；重作；重铸receiving basin 蓄水池
receiving tank 贮槽
recentralizing 恢复到中心位置；重定中心；再集中
receptacle 插座[孔]；容器 F2w7qZm$hR1~
reception of heat 吸热 ;xk!yna([L
recessed radiator 壁龛内散热器，暗装散热器
recharge well 回灌井 Nv8mF\Xi"x L
reciprocal 倒数；相互的，相反的，住复的
reciprocal action 反复作用
reciprocal compressor 往复式压缩机 "ii6]X-CRJ Gp
reciprocal feed pump 往复式蒸汽机
reciprocal grate 往复炉排
reciprocal motion 住复式动作
reciprocal proportion 反比例 Pa.KFq"X
reciprocal steam engine 往复式蒸汽机 6I$QqW3Q"Q)JGe
reciprocate 往复（运动），互换 )tO&f!q ?3a J
reciprocating 往复的，来回的，互相的，交替的
reciprocating ( grate ) bar 往复式炉排片
reciprocating compressor 往复式压缩机
reciprocating condensing unit 往复式冷冻机
reciprocating packaged liquid chiller 往复式整体型冷水机组 hf KT{;}-Q;m`
reciprocating piston pump 往复式活塞泵 9|U7hU;WheZ
reciprocating pump 往复泵，活塞泵 `Zr7Ih+}Q
reciprocating refrigerator 往复式制冷机 ZW.usZ |-jQ
recirculate 再循环 1x&qbG)rnT/d
recirculated 再循环的
recirculated air 再循环空气[由空调场所抽出，然后通过空调装置，再送回该场所的回流空气]
recirculated air by pass 循环空气旁路 g~"F9Le
recircilated air intake 循环空气入口
recirculated cooling system 再循环冷却系统 e|%_5f$~hA G?
recirculating 再循环的，回路的 H Z#|Tp2RD a
recirculating air duct 再循环风道
recirculating fan 再循环风机
recirculating line 再循环管路 KO^Tz'FvZ/B/kn
recirculating pump 再循环泵 (S+}/x`]n
recirculation 再循环
recirculation cooling water 再循环冷却水
recirculation ratio 再循环比 $Uy(d!q9U$]#fU
recirculation water 再循环水
reclaim 再生，回收；翻造，修复 8`#B$VY Kf1g [
reclaimer 回收装置；再生装置
reclamation 回收，再生，再利用
reclamation of condensate water蒸汽冷凝水回收 -p2kI+`8e3zN~
recombination 再化[结]合，复合，恢复 2cS p+_0|b
recommended level of illumination 推荐的照度标准
reconnaissance 勘察，调查研究
record drawing 详图、大样图、接点图
recording apparatus 记录仪器
recording barometer 自记气压计
recording card 记录卡片
recording facility 记录装置
recording liquid level gauge 自动液面计 k ?8qg*?(?
recording paper of sound level 噪声级测定纸
recording pressure gauge 自记压力计 4o9{j/Lex
recording water-gauge 自记水位计
recoverable 可回收的，可恢复的 x s"r{VI
recoverable heat 可回收的热量
recoverable oil 可回收的油
recoverable waster heat 可回收的废热
recovery plant 回收装置 +Tic}/~1Z.Y{$[v2q
recovery rate 回收率
relief damper 泄压风门
return air flame plate回风百叶
Seat air supply座椅送风 `I#L9Z@
Shaft seal 轴封
Shaft storage 搁架式贮藏 HG%U-YC-S
Shake 摇动，抖动
Shakedown run 试车，调动启动，试运转 :l-oM9fIT H2DG
Shake-out 摇动，抖动
Shakeproof 防振的，抗振的
Shaker 振动器 ?VJ*Og
Shaking 摇[摆，振]动
Shaking grate 振动炉排 v4?Ru{ByuG
Shaking screen 振动筛 7k)o0{Oj
Shallow 浅层，浅的，表面的
Shank 柄，杆，柱体，轴
Shape 造[成]型，形状[态]模型。轮廓 1V1e}-fze
Shape cutting 仿形切割 jvj3Ufu
Shaped steel 型钢 }.FG\Jg
Shape factor 形状因数 &Y0P v+H3U\]fM*T
Sharp 尖的，急剧的，灵敏的，准确的，明显的 }ionmb B5F
Sharp bend 小半径弯头 ,XY/o-k1x
Sharp freezer 快速冻结器，低温冻结间[接受未经降温的货物并使之冻结的冷藏间，其温度通常维持在-29° C到-15° C之间]
Sharp freezing 快速冻结，低温冻结[在低温库内冻结产品] {2Y|JY1`
Sharp freezing room 急冻间 |:u#jj0V'P
sheath 外壳，复板，外套 d{t+W Y0Ea
Sheathe 覆盖，装鞘，包，套
Sheave 滑车轮，凸轮盘 9nZJuc9c S'U v~3b
Sheet lead 铅皮 d*ljB2j.L
Sheet metal 金属片，金属薄板
Shell and coil condenser 壳管式冷凝器[盘管装置在壳内的一种冷凝器，冷却液在管内鞫淠闹评浼猎诳枪苤鋆
Shell and coil evaporator 壳管式蒸发器 T j!I PEsMn
Shell and coil heat exchanger 壳管式热交换器
Shell and tube condenser 壳管式冷凝器[冷凝器的一种，冷却液在管内流动，而冷凝的制冷剂在壳内]
Shell and tube cooler 壳管式冷却管
Shell and tube evaporator 壳管式蒸发器[管束浸在沸腾的制冷剂中，而被冷却的流体则在管内流动的蒸发器]
Shell and tube exchanger 壳管式换热器[组管速装置在壳体内，一种流体在管内流动，另一种流体在管壳之间流动] P2_A"l)S*X3j
Shell and tube heat exchanger 壳管式热交换器 5mv%npK,_5GDDA C9P
Shell and tube type condenser 壳管式冷凝器
Shell type attemperator 立式表面减温器，壳管减温器
Shield carbon-dioxide arc welding 二氧化碳气体保护电弧焊
Shielded arc welding 保护电弧焊
Shifting bearing 活动支座，移动式轴承 #zyMFy$} l\
Shifting spanner 活络扳手
Shrinkage 收缩；收缩量
Shunt regulator pipe 旁路调节管
Shunt valve 旁通阀
Shutoff damper 截止挡板，关闭风门
Shutoff valve 关闭阀，截止阀 #Q],nO_^(lm
Shutter grate 百叶炉篦，可调节的炉篦
Siamese connection 复式连接 /V sEV*@"g0et D Z
Side opening with slide plate 插板式侧面风口
Side spacer （过热器）定距梳形管夹，梳形间隔，梳形卡子 4_HPRn
Side wall 侧墙，侧水冷壁 "J\5T]"M2z e]
Side wall inlet 侧墙进风口 qB-xC8k;?+IwG
Side wall register of horizontal and vertical louvers and shutters 带垂直和水平百叶的侧墙送风品
Side wall register of vertical louvers and shutters 带重直百叶的侧墙送风口
Sightglass 观察窗 (FQxxh_BY
Signal 信号符号，信号 f7T9MV|
Signal alarm 信号报警，警报器
Signal bell 信号铃
Signal call device 信号呼叫装置
Signal equipment 信号设备
Signal light 信号灯 f h9YK%y]Vv;W0J
Simultaneous 同时的，同时发生的，联立的 !G0|"M_to
Simultaneous factor 同时系数 )b U3byq:U+{
Single-acting air pump 单动气泵 Z/FTRY8JM
Single-acting compressor 单作用压缩机
Single-acting pump 单动泵 RL'L0^ qr4Gc9z
Single admission 单侧进风 CxF#IT0p[zIs
Single and double deflection grille 单层及双层百叶风口
Single branch pipe 单支管 Hl3H)o9z.I4Y
Single collar pipe 单盘直管 GgCWeU5|"@(j
Single column manometer 单管式压力计
Single column radiator 单柱散热器 uZ"eK!Vr3m wY
Single duct air conditioning system 单风道空调系统[空气经过集中设备调节后，由单风道分送至各不同区域的系统] x#Q.}|*C#V9g:l,aX |%l
Single-inlet fan 单进风通风机
Single lead 单管线 De+c/hsZ@pr~
Single leaf damper 单页风口[只有一个叶片的，并以铰链接于开口一侧的方形或矩形风门]
Single package 单独整体式
Single-pass 单程的，单流的
Single path 单通路 G;L@ r4a,x$Sy
Single-phase kilowatt hour meter 单相电度表
Single-phase motor 单相马达 aq.kFa
Single-phase three wire system 单相三线制 J{ ks{7r
Single pipe district heating system 单区域供热系统
Single-range 单量程的 d'g"T,_8E`R(h"d
Single seated valve 单座阀
Single shell type absorption refrigerating machine 单筒吸收式制冷机
Single sided heating panel 单侧供暖辐射板
Single side draft hood 单面吸风罩 YM#l-X:s~
Single sleeve valve 单套阀 #A?u2T!r'n
Single-stage absorption refrigerator 单极吸收式制冷机
Single-stage air compressor 单极空气压缩机
Single-stage centrifugal blower 单级离心鼓风机 A-r;r-p6]Z2Z
Single-stage centrifugal pump 单级离心泵
Single-stage compression 单级压缩 hO$y"N/lCl5v C5J
Single-stage cyclone 单级旋风除尘器
Single-stage plate type ionizing electronic air cleaner 单级极板型静电空气过滤器
Single-stage pump 单级泵
Single-stage radial compressor 单级离心压缩机
Single vane rotary compressor 单叶回转式压缩机，[在压缩机中，转子沿定子的内圆周转动，在静止槽内滑动的一个叶片与转子不断接触，而使吸入口和排出口隔开] *qvd6l~R/Gf
Single way suction 单向吸入
Singular 单一的，奇异的，单数的 8}g } Jkk6e
Sintered metallic filter 金属陶瓷过滤器
Siphon action 虹吸作用
Siphonage 虹吸作用 )mYr8g5@6jL$D o9Q5Uwz
Siphon barometer 虹吸式气压计
Siphon head 虹吸压头
Siphon trap 虹吸水封 u:m._V-t,`I
Sirocco fan 西洛可风机，多叶片前弯离心机 !q2j H SFq_!D)] y
Site-assembled 现场装配的 /f sjJ%L
Site plan 总平面图 B8]I;^D7{^Z5^.I
Site planning 总平面设计 v(f;o Z1_Ow8i
Situation 地点，位置，形势，情况 H2z?6T+],S
Skating rink 溜冰场
Skeleton diagram 轮廓图 z/fI8IA-`/C
Sketching board 绘图板 4ML0mc:o4s:P5M`&h%^ @f
Sketch plan 草图，初步设计 4q$} B&W@-|-A"`
skin-load 外围护结构负荷 c.{ g1| I2qN+b4?"]
Skin temperature 皮肤温度，外壳温度 /}o@!C&Smj
Skirtboard 侧护板，侧壁；踢脚板
Skirting air inlet 踢脚板进气口
Skirting heater 踢脚板放热器
Sky radiation 天空辐射
Steam heating pipe蒸汽供热管道
System accessaries 设备安装辅料
System testing 系统调试费title 图名 0t'Gw'E@@$R
trasportation 设备吊运费 'q[wG0jZ:`*G(D3l
two-speed motor双速电机 'w7A4w4U'lH~c
ultra low penetration air filter 超高空气效过滤器
unidirectional air flow clean rooms单向流洁净室 t.o5S2Q["FE1WQ
vacuum 真空 Z,Rs@)aX1vL
valve and sub-asembly handing 阀门及配件安装工费
vibration isolation减振
virbrate free double poles terminal防震双球软接头 c8Ff+S%_GL
water flow水流量
water piping fittings 水管吊支架
water to water plate heat exchangers板换
water wide pre.drop水侧压降

以上为转载，非原创，也感谢整理的朋友；错误和补充的请回复，我进行修改！}2Pe3WEW3Nt
声明一下：本人英语很菜:lol

hhnec 发表于 2007-4-18 22:58

真的不错！！感谢LZ提供！！:handshake

handsets 发表于 2007-4-19 08:18

跟版主看法一致！！
谢谢俄i[quote]原帖由 [i]hhnec[/i] 于 2007-4-18 22:58 发表
真的不错！！感谢LZ提供！！:handshake [/quote]

dingweiyang 发表于 2007-4-19 09:53

参考楼上意见

genesun 发表于 2007-4-19 20:28

既然还可以搞个精华把:lol :lol

hhnec 发表于 2007-4-19 21:30

[quote]原帖由 [i]genesun[/i] 于 2007-4-19 20:28 发表
既然还可以搞个精华把:lol :lol [/quote]
加精的话LZ还需不断努力啊！

nula 发表于 2007-4-20 16:12

请教个问题,HPM是什么意思?:lol
另外,设计图应该是layout吧 vn_%P |*WD_

[[i] 本帖最后由 nula 于 2007-4-20 16:15 编辑 [/i]]

caolijun 发表于 2007-4-20 20:58

[quote]原帖由 [i]nula[/i] 于 2007-4-20 16:12 发表,JL!^z!YuF
请教个问题,HPM是什么意思?:lol
另外,设计图应该是layout吧 [/quote]
谢谢了LZ 了
我也想知道啊.以前有人跟我说过,不过忘了.这个H好象是hazardous的意思(这个让我想起了生化危机biohazard),M好象是material的意思.就是P是什么意思忘了.
xx摄氏度应该是xx degrees centigrade

wei1967 发表于 2007-4-21 11:30

謝謝!我copy下來學習

david888 发表于 2007-4-21 23:28

楼主挺全面的

william81 发表于 2007-4-22 16:20

Good material, thanks

jxlwang 发表于 2007-4-29 20:29

专业英语

大家多了解点啊１！！！！！:victory:

hhnec 发表于 2007-4-29 21:22

感谢LZ提供，原文如下：

1.  ADI 显影后检查
.定义：After Developing Inspection 的缩写l'u^*u0E$X*O
.目的：检查黄光室制程；光刻胶覆盖→对准→曝光→显影。发现缺点后，如覆盖不良、显影不良等即予修改，以维护产品良率、品质。p b3I[1JO WKY{
.方法：利用目检、显微镜为之。

2. AEI 刻蚀后检查
.定义：AEI即After Etching Inspection，在蚀刻制程光刻胶去除前及光刻胶去除后，分别对产品实施全检或抽样检查。/|k$N|{ T@Li0jw7\
.目的：a. 提高产品良率，避免不良品外流。b.达到品质的一致性和制程的重复性。c.显示制程能力的指针。d.阻止异常扩大，节省成本
.通常AEI检查出来的不良品，非必要时很少作修改，因为重去氧化层或重长氧化层可能造成组件特性改变可靠性变差、缺点密度增加，生产成本增高，以及良率降低的缺点。
.b,e1n+dm!B!Gx4B1S
3. AIR SHOWER 空气洗尘室进入洁净室的前，需穿无尘衣，因在外面更衣室的故，无尘衣上沾着尘埃，故进洁净室的前，需经空气喷洗机将尘埃吹掉。 yGem};urX

4. AL/SI 铝/硅靶此为金属溅镀时所使用的一种金属合金材料利用Ar（氩）游离的离子，让其撞击此靶的表面，把Al/Si的原子撞击出来，而镀在芯片表面上，一般使用的组成为Al/Si (1%)，将此当作组件与外界导线连接。 TauF/pb

5. AL/SI/CU 铝/硅/铜金属溅镀时所使用的原料名称，通常是称为TARGET，其成分为0.5﹪铜，1﹪硅及98.5﹪铝，一般制程通常是使用99﹪铝1﹪硅，后来为了金属电荷迁移现象、（ELECTROMIGRATION）故渗加0.5﹪铜，以降低金属电荷迁移。

6. ALUMINUN 铝此为金属溅镀时所使用的一种金属材料，利用Ar（氩）游离的离子，让其撞击此种材料做成的靶表面，把Al的原子撞击出来，而镀在芯片表面上，将此当作组件与外界导线的连接。
DT,Uy3X/uP4ST
7. ANGSTRON 埃埃是一个长度单位，其大小为1公尺的百亿分之一，约为人的头发宽度的五十万分之一。此单位常用于IC制程上，表示其层（如SiO2，Poly，SiN….）厚度时用。 i}f;sA;]UU
$F.Zq8K |r
8. APCVD（ATMOSPRESSURE）常压化学气相沉积 APCVD为Atmosphere(大气)，Pressure(压力)，Chemical(化学)，Vapor(气相)及Deposition(沉积)的缩写。TU"Krc

9. 烘烤（Bake）：在集成电路芯片上的制造过程中，将芯片至于稍高温（60℃～250℃）的烘箱内或热板上均可谓的烘烤，随其目的的不同，可区分微软烤（Soft bake）与预烤（Hard bake）。软烤（Soft bake）：其使用时机是在上完光刻胶后，主要目的是为了将光刻胶中的溶剂蒸发去除，并且可增加光刻胶与芯片的附着力。预烤（Hard bake）：又称为蚀刻前烘烤（pre-etch bake），主要目的为去除水气，增加光刻胶附着性，尤其在湿蚀刻（wet etching）更为重要，预烤不够长会造成过蚀刻。

10.BOAT 晶舟 Boat原意是单木舟，在半导体IC制造过程中，常需要用一种工具作芯片传送、清洗及加工，这种承载芯片的工具，我们称的为Boat。一般晶舟有两种材质，一是石英、另一是特氟龙。石英晶舟用在温度较高（大于300℃）的场合。而特氟龙晶舟则用在传送或酸处理的场合。　!cFy)\ L+@;T6RB1?
　
11.CH3COOH 醋酸 AETIC ACID 醋酸澄清、无色液体、有刺激性气味、熔点16.63℃、沸点118℃。与水、酒精、乙醚互溶。可燃。冰醋酸是99.8﹪以上的纯化物，有别于水容易的醋酸食入或吸入纯醋酸有中等的毒性，对皮肤及组织有刺激性，危害性不大，被溅到用水冲洗。

12.CHAMBER 真空室,反应室专指一密闭的空间，常有特殊的用途：诸如抽真空、气体反应或金属溅度等。针对此特殊空间的种种外在或内在环境：例如外在颗粒数（particle）、湿度及内在温度、压力、气体流量、粒子数等加以控制。达到芯片最佳反应条件。 ,ZoSkq3N?6J

13.CMOS 互补式金属氧化物半导体（MOS，METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR）其制程程序是先在单晶硅上形成绝缘氧化膜，再沉积一层多晶硅（或金属）作为栅极，利用加到栅极的电场来控制MOS组件的开关（导电或不导电）。按照导电载流子的种类，MOS，又可分成两种类型：NMOS（由电子导电）和PMOS（由空穴导电）。而互补式金属氧化物半导体（CMOSCOMPLEMENTARY MOS）则是由NMOS及PMOS组合而成，具有省电、抗噪声能力强等许多优点，是超大规模集成电路（VLSI）的主流。 /X,Hh(RXc5p q0?

14.COATING 光刻胶覆盖将光刻胶以浸泡、喷雾、刷布、或滚压等方法加于芯片上，称为光刻胶覆盖。目前效果最佳的方法为旋转法；旋转法乃是将芯片以真空吸附于一个可旋转的芯片支持器上，适量的光刻胶加在芯片中央，然后芯片开始转动，芯片上的光刻胶向外流开，很均匀的散在芯片上。而旋转速度和光刻胶黏滞性绝应所镀光刻胶的厚度。光刻胶加上后，必须经过软烤的步骤，以除去光刻胶中过多的溶剂，进而使光刻胶膜较为坚硬，同时增加光刻胶膜与芯片的接合能力的主要方法就是在于适当调整软烤温度与时间。经过了以上的镀光刻胶膜即软烤过程，也就是完成了整个光刻胶覆盖的步骤。 ejW|4@$R%L

15.CWQC 全公司品质管制品质管制为达到经营的目的，必须结合公司内所有部门全体人员协力合作，构成一个能共同认识，亦于实施的体系，并使工作标准化，且使所定的各种事项确实实行，使自市场调查、研究、开发、设计、采购、制造、检查、试验、出货、销售、服务为止的每一阶段的品质都能有效的管理，这就是所谓的全公司品质管制（Company Wide Quality Control）。实施CWQC的目的最主要的就是要改善企业体质；即发觉问题的体质、重视计划的体质、重点指向的体质、重视过程的体质，以及全员有体系导向的体质。

16.CYCLE TIME 生产周期时间指原料由投入生产线到产品于生产线产生所需的生产/制造时间。生产周期有两种解释：一为“芯片产出周期时间”（WAFER-OUT CYCLE TIME　），一为“制程周期时间”（PROCESS CYCLE TIME）。一般而言，生产周期时间可以下列公式概略推算的：生产周期时间=在制品（WIP）/产能（THROUGHOUT）。IC制造流程复杂，且其程序很长，自芯片投入至晶圆测试完成，谓的Cycle Time。由于IC生命周期很短，自开发、生产至销售，需要迅速且能掌握时效，故Cycle Time越短，竞争能力就越高，能掌握产品上市契机，就能获取最大的利润。由于Cycle Time 长，不容许生产中的芯片因故报废或重做，故各项操作过程都要依照规范进行，且要做好故障排除让产品流程顺利，早日出FIB上市销售。
/E0R|3K;Fd"C$T,V6k$^"b
17.DEHYDRATION BAKE 去水烘烤目的：去除芯片表面水分，增加光刻胶附着力。以免芯片表面曝光显影后光刻胶掀起。方法：在光刻胶覆盖的前，利用高温（120℃或150℃）加热方式为的。 TS/F4?ip;Z |

18.DENSIFY 密化 CVD沉积后，由于所沉积的薄膜（THIN FILM的密度很低），故以高温步骤使薄膜中分子重新结合，以提高其密度，此种高温步骤即称为密化。密化通常以炉管在800℃以上的温度完成，但也可在快速升降温机台（RTP；RAPID THERMAL PROCESS）完成。 !n!ba_0{$_'|6ia

19.DIFFUSION 扩散在一杯很纯的水上点一滴墨水，不久后可发现水表面颜色渐渐淡去，而水面下渐渐染红，但颜色是越来越淡，这即是扩散的一例。在半导体工业上常在很纯的硅芯片上以预置或离子注入的方式作扩散源（即红墨水）。因固态扩散比液体扩散慢很多（约数亿年），故以进炉管加高温的方式，使扩散在数小时内完成。

20.DI WATER 去离子水 IC制造过程中，常需要用盐酸容易来蚀刻、清洗芯片。这些步骤的后又需利用水把芯片表面残留的盐酸清除，故水的用量相当大。然而IC工业用水，并不是一般的自来水或地下水，而是自来水或地下水经过一系列的纯化而成。原来自来水或地下水中含有大量的细菌、金属离子级颗粒（particle），经厂务的设备将的杀菌、过滤和纯化后，即可把金属离子等杂质去除，所得的水即称为〝去离子水〞，专供IC制造的用。
x;t9Q-S`2R vt
21.DOPING 掺入杂质为使组件运作，芯片必须掺以杂质，一般常用的有：预置：在炉管内通以饱和的杂质蒸汽，使芯片表面有一高浓度的杂质层，然后以高温使杂质驱进扩散；或利用沉积时同时进行预置。离子注入：先使杂质游离，然后加速注入芯片。

22.DRIVE IN 驱进离子注入（ion implantation）虽然能较精确地选择杂质数量，但受限于离子能量，无法将杂质打入芯片较深（um级）的区域，因此需借着原子有从高浓度往低浓度扩散的性质，在相当高的温度去进行，一方面将杂质扩散到较深的区域，且使杂质原子占据硅原子位置，产生所要的电性，另外也可将注入时产生的缺陷消除。此方法称的驱进。在驱进时，常通入一些氧气，因为硅氧化时，会产生一些缺陷，如空洞（Vacancy），这些缺陷会有助于杂质原子的扩散速度。另外，由于驱进原子的扩散，因此其方向性是各方均等，甚至有可能从芯片逸出（out-diffusion），这是需要注意的地方。 W!VF3P'uKZ"U+_

23.ELECTROMIGRATION 电子迁移所谓电子迁移，乃指在电流作用下金属的质量会搬动，此系电子的动量传给带正电的金属离子所造成的。当组件尺寸越缩小时，相对地电流密度则越来越大；当此大电流经过集成电路中的薄金属层时，某些地方的金属离子会堆积起来，而某些地方则有金属空缺情形，如此一来，堆积金属会使邻近的导体短路，而金属空缺则会引起断路。材料搬动主要原动力为晶界扩散。有些方法可增加铝膜导体对电迁移的抗力，例如：与铜形成合金，沉积时加氧等方式。+z:N1B)_:[?Qs@
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24.ELECTRON/HOLE 电子/ 空穴电子是构成原子的带电粒子，带有一单位的负电荷，环绕在原子核四周形成原子。空穴是晶体中在原子核间的共享电子，因受热干扰或杂质原子取代，电子离开原有的位置所遗留下来的“空缺”因缺少一个电子，无法维持电中性，可视为带有一单位的正电荷。
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25.EPI WAFER 外延晶圆，在晶体表面生长一层晶体。

26.ETCH 蚀刻在集成电路的制程中，常需要将整个电路图案定义出来，其制造程序通常是先长出或盖上一层所需要的薄膜，在利用微影技术在这层薄膜上，以光刻胶定义出所欲制造的电路图案，再利用化学或物理方式将不需要的部分去除，此种去除步骤便称为蚀刻（ETCH）一般蚀刻可分为湿性蚀刻（WET ETCH）及干性蚀刻（DRY ETCH）两种。所谓干性蚀刻乃是利用化学品（通常是盐酸）与所欲蚀刻的薄膜起化学反应，产生气体或可溶性生成物，达到图案定义的目的。而所谓干蚀刻，则是利用干蚀刻机台产生等离子体，将所欲蚀刻的薄膜反映产生气体由泵（PUMP）抽走，达到图案定义的目的。

27.EXPOSURE 曝光其意义略同于照相机底片的感光在集成电路的制造过程中，定义出精细的光组图形为其中重要的步骤，以运用最广的5X STEPPER为例，其方式为以对紫外线敏感的光刻胶膜作为类似照相机底片，光罩上则有我们所设计的各种图形，以特殊波长的光线（G-LINE 436NM）照射光罩后，经过缩小镜片（REDUCTION LENS）光罩上的图形则成5倍缩小，精确地定义在底片上（芯片上的光刻胶膜）经过显影后，即可将照到光（正光刻胶）的光刻胶显掉，而得到我们想要的各种精细图形，以作为蚀刻或离子注入用。因光刻胶对于某特定波长的光线特别敏感，故在黄光室中早将一切照明用光源过滤成黄色，以避免泛白光源中含有对光刻胶有感光能力的波长成分在，这一点各相关人员应特别注意，否则会发生光线污染现象，而扰乱精细的光刻胶图。 zL+eos4l6{*Z3a:i

28.FABRICATION（FAB）制造 Fabrication为“铸造”的意思，半导体制造程序，其步繁多，且制程复杂，需要有非常精密的设备和细心的作业，才能达到无缺点的品质。FAB是Fabrication的缩写，指的是“工厂”的意思。例如：进去“FAB”的前需穿上无尘衣。 2O \P.VtkuB

29.FOUNDRY 客户委托加工客户委托加工主要是接受客户委托，生产客户自有权利的产品，也就是客户提供光罩，由FMI来生产制造，在将成品出售给客户，指收取代工过程费用，这种纯粹代工，不涉及销售的方式在国际间较通常的称呼就是硅代工（Silicon Foundry）。
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30.FOUR POINT PROBE 四探针探测是量测芯片阻值（Sheet Resistance）RS的仪器。原理如下：有ABCD四针，A、D间通以电流I，B、C两针量取电压差（△V），则RS=K.△V/I K是常数比例和机台及针尖距离有关。四探针测试仪有四个细小的，与能源和伏特计相连内嵌式探针。一个四探针测试仪由四个排成一条线的细小金属探针组成。外侧的两个探针接能源，内侧的两个探针连接伏特计。测量过程中，电流流过外侧的两个探针，并且通过内侧探针测量得出电压的变化值。电流与电压之间的关系由探针之间的距离和材料的电阻率共同决定。
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31.GATE OXIDE 闸极氧化层 GATE OXIDE是MOSFET（金氧半场效晶体管）中相当重要的闸极的下的氧化层。此氧化层厚度较薄，且品质要求也较严格。 j)k+Kw"KJ

32.H2SO4 硫酸为目前最广泛使用的工业化学品。强力腐蚀性、浓稠、油状液体，依纯度不同，由无色至暗棕色，与水以各种不同比例互溶，非常具有活性。溶解大部分的金属。浓硫酸具氧化、脱水、磺化大部分的有机化合物，常常引起焦黑。比重1.84，沸点315℃。与水混合时需格外小心，由于放热引起爆炸性的溅泼，永远是将酸加到水中，而非加水至酸中。不小心被溅到，应用大量水冲洗。目前在线上，主要用于清洗及光刻胶去除。 %c Rbj(Tf ^"M
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33.H3PO4 磷酸 PHOSPHORIC ACID 磷酸无色无谓起泡液体或透明晶形固体。依温度、浓度而定。在20℃，50﹪及75﹪强度为易流动液体，85﹪为似糖浆，100﹪酸为晶体。比重1.834，熔点42.35℃。在213℃形成焦磷酸。溶于水、乙醚，能腐蚀铁及合金。对皮肤、眼睛有刺激性，不小心溅到，可用水冲洗。目前磷酸用于SI3N4的去除，浓度是85﹪，沸点156℃，SI3N4与SIO2的蚀刻比约为30：1。
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34.HCL 氯化氢（盐酸） Hydrochloric Acid盐酸，为无色或淡黄色，发烟，刺激性液体。氯化氢的水溶液。盐酸是一种强烈酸性及高腐蚀性酸。氯化氢溶解在水中有各种不同的浓度。可溶于水、酒精、苯、不可燃。用途广泛。可用金属的酸洗与清洁。不小心被溅到，用大量水冲洗。目前线上，主要用于RCA清洗。 0PP`Z5M1[G
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35.HEPA 高效率过滤器 HEPA（High Efficiency Particulate Air Filter）为洁净室内用以滤去微粒的装置，一般以玻璃纤维制成，可将0.1μm 或0.3μm以上的微粒滤去99.97﹪。层流台能保持Class100以下的洁净度，即靠HEPA达成。目前除层流台使用HEPA外，其它如烤箱、旋转机，为了达到控制颗粒(particle)的效果，也都装有HEPA的设计。 ^,I)U [W \ v

36.HNO3 硝酸透明、无色或微黄色、发烟、易吸湿的腐蚀性液体，能腐蚀大部分金属。呈黄色是由于曝光所产生的二氧化氮，为强氧化剂，可与水混合，沸点78℃，比重1.504。IC产业中硝酸用于清洗炉管，但对皮肤有腐蚀性，为强氧化剂，与有机物接触有起火危险。清洗炉管用。
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37.LOAD LOCK 传送室用来隔绝反应室与外界大器直接接触，以确保反应室内的洁净，降低反应是受污染的程度。一般用于等离子体蚀刻及金属溅镀等具有真空反应室的设备。
38. LOT NUMBER 批号批号是线上所有材料的身份证。

39.LPCVD（LOW PRESSURE）低压化学气相沉积 LPCVD的全名是Low Pressure Chemical Vapor Deposition，即低压化学气相沉积。这是一种沉积方法。在IC制程中，主要在生成氮化硅、复晶硅、二氧化硅及非晶硅等不同材料。 i7wr0J3B

40.MASK光罩MASK原意为面具，而事实上光罩在整个IC制作流程上，所扮演的角色和面具也有几分神似。光罩主要的用途在于利用光刻胶制程，将我们所需要的图形复印在芯片上，制作很多的IC芯片。根据其制作的材质又可分为石英光罩（QUARTZ），绿玻璃光罩等。 E!k'Swk"l`
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41.MICRO,MICROMETER,MICRON 微米  定义：Micro为10的-6次方 1 Micro=10的-6次方，1 Micrometer =10的-6次方 m=1 Micro=1μm通常我们说1μ即为10的-6次方 m又因为1埃=10的-8次方㎝=10的-10次方m（原子大小）故1μ=10，000埃约唯一万个原子堆积而成的厚度或长度。

42.MOS 金属氧化物半导体  定义：构成IC的晶体管结构可分为两型－双极型（bipolar）和MOS型（Metal-Oxide-Semiconductor）。双极型IC的运算速度较快但电力消耗较大，制造工程也复杂，并不是VLSI的主流，而MOS型是由场效应晶体管（FET）集成化而成。先在硅上形成绝缘氧化膜的后，再由它上面的外加电极（金属或复晶硅）加入电场来控制其动作，制程上比较简单，也较省电，最早成为实用化的是P-MOS，但其开关速度较慢，不久更高速的N-MOS也被采用。一旦进入VLSI的领域的后，NMOS的功率消耗还是太大了于是由P-MOS及 N-MOS组合而成速度更高、电力消耗更少的互补式金属氧化物半导体（CMOS，Complementary MOS）遂成为主流。 L4L bvr"Bd;F4y h]

43.N2,NITROGEN 氮气定义：空气中约4/5是氮气。氮气是一安定的惰性气体，由于取得不难且安定，故Fab内常用以当作Purge（净化）管路，除去脏污、保护气氛、传送气体（Carrier Gas）、及稀释（Dilute）用途。另外，氮气在零下196℃（77F）以下即以液态存在，故常被用作真空冷却源。现在Fab内Clean House用的氮气为厂务提供的99.999﹪纯度氮气，生产线路所用的氮气为瓶装更高纯度氮气。因氮气的用量可局部反应生产成本，故应节约使用以降低成本。

44.N/P TYPE SEMICONDUCTOR N/P型半导体  定义：一般金属由于阻值相当低（10-2Ω－㎝以下），因此称的为导体，而氧化物阻值高至105Ω/㎝以上，称为绝缘体。若阻值在0.01～105Ω/㎝的间，则名为半导体。IC工业使用的硅芯片，阻值就是在半导体的范围，但由于Si（硅）是四价键结（共价键）的结构，若掺杂有如砷（As）磷（P）等五价元素，且占据硅原子的地位（Sub-situational Sites），则多出一个电子，可用来导电，使导电性增加，称的为N型半导体。若掺杂硼（B）等三价元素，且仍占据硅原子的地位，则键少了一个电子，因此其它键的电子在足够的热激发下，可以过来填补，如此连续的电子填补，称的为空穴传导，也使硅的导电性增加，称的为P型半导体。因此N型半导体中，其主要带电粒子为带负电的电子，而在P型半导体中，则为带正电的空穴。在平衡状况下（室温）不管N型或P型半导体，其电子均与空穴浓度的乘积值不变。故一方浓度增加，另一方即相对减少。

45.OXYGEN 氧气 OXYGEN氧气无色,无气味,无味道双原子气体。在－183℃液化成浅蓝色的液体，在218℃固化。在海平面上，空气中约占20﹪体积的氧，溶于水和乙醚，不可燃，可以助燃。在等离子体光刻胶去除中，氧气主要用来去除光刻胶用。在等离子体干蚀刻中，氧混入CF4气体中，可增加CF4气体的蚀刻速度。目前氧气主要用途在于等离子体光刻胶去除；利用氧气在等离子体中产生氧的自由基（RADICAL）与光刻胶中的有机物反应，产生二氧化碳和水气体蒸发，达到去除光刻胶的效果。
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46.P 磷 •自然界元素之一。由15个质子及16个中子所组成。•离子注入的磷离子，是由气体PH3经灯丝加热分解得到的3 L P+离子，借着Extraction 抽出气源室经加速管加速后，布植在芯片上。•是一种N-type离子，用做磷注入，S/D注入等。 :kea9lE*Zla)q

47.PARTICLE CONTAMINATION颗粒污染：由于芯片制造过程甚为漫长，经过的机器、人为处理操作过程甚为繁杂，但机器、人为均获多或少会产生一些颗粒，这些尘粒一但沾附到芯片上，集会造成污染影响，而伤害到产品品质与良率，此即『颗粒污染』，我们在操作过程中应时时防着各项颗粒污染来源。
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48.PECVD 等离子体CVD  定义：CVD化学反应所须知能量可以是热能、光能或等离子体。以等离子体催化的CVD称作PECVD。PECVD的好处是反应速度快、较低的基版温度及Step Coverage；缺点是产生较大的应力，现Fab内仅利用PECVD做氮化硅护层。PECVD英文全名为Plasma Enhancement CVD。8F2C1b;q1R4P4a7_&FK V
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49.PH3 氢化磷  定义：一种半导体工业的气体，经灯丝加热供给能量后，可分解成P4，PH4、PH2（及H4）。可由质谱谱场分析出来，做N-type离子注入用。

50.PHOTORESIST 光刻胶  光刻胶为有机材料，是利用光线照射时的有机物质进行光化学反应而产生分子结构变化，在使用溶剂使的显像。目前一般商用光刻胶主要含有二部分（1）高分子树酯（2）光活性物质，工作原理不同可分为正，负两类：（1）正型：光活性物质为 DIAZOQUINOUE类，照光前难溶于碱液中，有抑制溶解树酯功能，照光后产生羧酸，反有利于碱液溶解，因此可区分曝光区与非曝光区。（2）负型：光活性物质为DIAZIDE类，照后生成及不安定的双电子自由基，能与高分子树酯键结，而增加分子量，选择适当溶剂便可区分曝光区与非曝光区。目前SMIC使用的正、负光刻胶，皆为适用于G-LINE（436NM）制程的光刻胶。
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51.PILOT WAFER 试作芯片 Pilot Wafer为试作芯片，并非生产芯片(Prime Wafer)。在操作机器前，为了确定机器是否正常所作的试片，或机器作完维修、保养后所作的测试用芯片均称为Pilot Wafer。由于Pilot Wafer所做出来的结果将决定该批的制程条件。故处理Pilot Wafer时，所抱持的态度必须和处理Prime Wafer一样慎重。 ;qC%{qI)A-WDL*?
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52.PINHOLE 针孔在光刻胶制程所谓的针孔，就是在光刻胶覆盖时，光刻胶薄膜无法完全盖住芯片表面，而留有细小如针孔般的缺陷，在蚀刻制程时，很可能就被蚀刻制程穿透而致芯片的报废。在以往使用负光刻胶制程时，由于负光刻胶粘稠性较大，覆盖较薄，因此容易出现针孔，固有些层次（如CONTACT）必须覆盖两次，才能避免针孔的发生。目前制程大多使用正光刻胶，覆盖较厚，已无针孔的问题存在。
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53.PLASMA ETCHING 离子体蚀刻定义：在干蚀刻技术中，一班多采用等离子体蚀刻与活性离子蚀刻，通常等离子体蚀刻使用较高的压力（大于200mT）及较小的RF功率，当芯片浸在等离子体的中，暴露在离子体的表面层原子或分子与等离子体中的活性原子接触并发生反应形成气态生成物而离开晶面造成蚀刻，此类蚀刻即称的为等离子体蚀刻。 C|Uq L W"q N ^
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54.POCL3 三氯氧磷  定义：一种用作N型扩散的化合物。通常以N2为“载气”（Carrier Gas），带着POCl3和O2（氧气）一起进入高温炉管，然后产生反应，在反应过程中，磷沉淀于硅表面，同时硅表面亦形成一氧化层。 'Dq(w4~gPg*P x
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55.POLY SILICON 多晶硅 SILICON是IC制造的主要原料之一。其结构是复晶结构，其结晶的结构是多方向的，而非单一方向。POLY SILICON通常用低压化学气相沉积的方法沉积而得。其主要用途在作MOS的闸极及单元的接连。

56.PRESSURE 压力  定义：气体分子撞击反应室的器璧所产生的力量。气体分子越少、压力越低。反的气体分子越多、压力越高。如压力<大气压力时，表示真空，其压力单位即为真空度。 1大气压=1atm=760mmHg水银柱压力 1Torr（托）=1/760atm=1mmHg。如压力>大气压力时，即用单位面积所受的重量表示，如㎏每平方㎝。一般等离子体蚀刻机的压力为50millitorr～0.5Torr。一般使用的气瓶的压力约为500psi～2000PSI。

57.REFLOW 回流回流是IC制造中医种特殊技术。做法是将磷或硼或两者合一，掺入二氧化硅中（常用CVD方式）。的后将芯片推入高温炉管一段时间，该二氧化硅层（PSG BPSG或BSG）即会『流动』，使芯片表面变得较平坦。此即回流平坦化技术。回流取该氧化层『重新流动』的意。

58.RESISTIVITY 阻值
定义：物理学上定义阻值（Ω，即欧姆）为R=△V/I在物体两截面上通以定电流V，量得电压降△V，则 △V/I即为这物体的阻值.

59. REWORK/SCRAP/WAIVE 修改/报废/签过修改：分ADI修改，AEI修改ADI修改：将光刻胶去除，重新上新光刻胶，已定义新的或精确的图形。AEI修改：将已沉积或氧化的厚厚或薄层去除，重新沉积或氧化。报废：芯片受污染或流程不合规范上的规定，造成芯片有可能无良率，则停止流程不继续生产。签过：当芯片流程至某步骤时，发现图形或规格不合于规范内的规定，但其影响不致使芯片达报废的程度，可由工程师签署，继续流程。 |"u2s-Y"Q

60.SCRUBBER 刷洗机在沉积或蚀刻制程的后常会有些微尘落在芯片表面，此种微尘可刷洗去除，避免对良率的伤害。依照膜的性质，及机台的特性不同，通常我们有下列5种不同刷洗方式：- 去离子水冲洗- 毛刷刷洗- 高压水刷洗- 毛刷加高压水刷洗- 芯片双面刷洗
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61.SILICIDE 硅化物硅化物（Silicide），指耐火金属（Refractory Metal）的硅化物，如钛（Ti）、钨（W）、钼（Mo）等与元素硅（Si）结合而成的化合物（TiSi2、Wsi2、MoSi2）。硅化物应用在组件的目的，主要为降低金属与硅接口]、闸极或晶体管串联的阻抗，以增加组件的性能。
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62.SILICON 硅－SI（全文SILICON）为自然界元素的一种，意即我们所使用的硅芯片组成元素，再元素周期表中排行14，原子量28.09，以结晶状态存在（重复性单位细胞组成），每一单位细胞为由一个硅原子在中心与其它4个等为硅原子所组成的四面体（称为钻石结构）如图标中心原子以其4个外围共价电子与邻近的原子其原型或其价件的结合。硅元素的电子传导特性介于金属导体与绝缘体材料的间（故称为半导体材料），人类可经由温度的变化、能量的激发及杂质掺入后改变其传导特性，再配合了适当的制程步骤，便产生许多重要的电子组件，运用在日常生活中。 k)vIj J9Y$}U

63.S.O.G.（SPIN ON GLASS）旋制氧化硅是利用旋制芯片，将含有硅化物的溶液均匀地平涂与芯片上，在利用加热方式与溶剂驱离，并将固体硅化物硬化程稳定的非晶相氧化硅。其简单流程如下：旋转平涂→加热烧烤→高温硬化（~450℃）旋制氧化硅是应用在组件制造中，金属层间的平坦化（Planization）。以增加层与层的间的结合特性，避免空洞的形成及膜的剥离。

64.SPECIFICATION（SPEC）规范规范是公司标准化最重要的项目之一，它规定了与生产有关事项的一切细节，包括机台操作、洁净室、设备、保养、材料、工具及配件、品管、可靠性、测试等等。IC制造流程复杂。唯有把所有事项的规范清楚并确实遵照规范执行，检验规范是否合理可行，相关规范是否有冲突，达到自主管理及全员参与标准化的目的。 B9f2GUiS

65.TARGET 靶一般用在金属溅镀（SPUTTERING）也就是以某种材料致造成各种形状，因此『靶』当作金属薄膜溅镀的来源。

66.THROUGH PUT 产量  定义：Through Put为单位工时的产出量，例如某机器每小时生产100片，则称其Through Put为100片/每小时。如果每天运作21小时，则每天的Through Put为2100片/天。IC工业系许多昂贵且精密的设备投资，故必须充分利用，维持生产的顺畅，发挥其最大的效能。故高的Through Put为我们评估机器设备的一项很重要的因素之一。除了设备上发挥其最大产能外，必须要配合人为的力量：如流程安排、故障排除等，亦即必须“人机一体”才能发挥生产的整体效益，达到最高的生产力。@8ujdlm}
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67.VACUUM 真空  定义：真空是针对大气而言——特定空间内的部分气体被排出，其大气压力小于一大气压。表示真空的单位相当多，在大气的情况下，通称为一大气压，也可表示为760torr或760mmHg或14.7psi。真空技术中将真空一压力大小分为四个区域：A粗略真空（Rough Vacuum）B中度真空（Medium Vacuum）C高真空（High Vacuum）D超高真空（Ultra- High Vacuum）。方法：在不同真空，气体流动的形式与传导性等均有所差异，简略而言：在粗略真空气体的流动称的为粘滞流（Viscous Flow）。其气体分子间碰撞频繁，且运动具有方向性；在高真空或超高真空范围，气体流动称为分子流（Molecular Flow），其气体分子间碰撞较少，且少于气体与管壁碰撞的次数，气体分子运动为随方向，不受抽气方向影响。在热导性方面：中度真空的压力范围其与压力成正比关系，粗略真空与高真空区域则无此关系。 &n HyOWr
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68.VACUUM PUMP 真空泵凡能将特定空间内的气体去除以减低气体分子数目，造成某种程度只真空状态的机件，通称为真空泵。目前生产机台所使用的真空泵可分为抽吸式：旋片泵（ROTARY PUMP）、活塞泵（PISTON PUMP）、扩散泵（DIFFUSION PUMP）。储气式：冷冻泵（CRYO PUMP）、离子泵（ION PUMP）#bgh"WK

69.YELLOW ROOM 黄光室黄光室（Yellow Room）就是所有光源（照明用）均为黄色光波波长的区域。由于IC晶方内的图案均有赖光刻胶剂（Photo resist）覆盖在芯片上，再经曝光，显影而定型；而此光刻胶剂遇光线照射，尤其是紫外线（UV）即有曝光的效果，因此在显影完毕以前的生产，均宜远离此类光源。黄光的光波较长，使光刻胶剂曝光的效果很低，因此乃作为显影前的照明光源。

            FAB区常用词汇e?)i2l9]C[Q

Air Shower 风淋室 Alarm 警讯
Average 平均 Area 区域
Abort 放弃 Acid 酸%f1U,YZ*HAX
Auto/Manual 自动/手动 AMHS 自动化物料传输系统1?1g,PRr$c.J
Batch 群；组 Bay 工作区x}T5w2]%^
Backup 备用 Bank 储存所iE#QvxV&W
Cancel 取消 Clean room 无尘室
Cassette 芯片晶舟 Chemical 化学药剂'J\W.xD8v!Bt%u"{ L
Check 检查；核对 CIM 电脑整合制造nRH_'[Z n,k I$O$@
Class 洁净室等级 CMP 化学机械研磨.Hh;k^4lT;W(h/z
Child lot 子批 Correct 正确v_` rdbZ
Cycle time 生产周期 Code 代码
Control 控制 Chip (die) 晶粒d;m6Bx$A,po"x
Comment 注解 Control Wafer 控片
Confirm 确认 Cart 手推车
CD 关键性尺寸      $a[s ~"I*c EK vx!i`
Chart 图表
Dummy wafer 挡片 Daily check 每天检查 eKH.g-Z"V"h*[B
Diffusion 扩散 DI water 去离子水/bc3a)V:Zh:q
Damage 损害 Display 展示4UQI9PZ9A l#j;T
Double 重复；加倍 Defect 缺陷)yivx9SI%n1U
Doping 掺杂 Downgrade 降级
Due date 交期 Discipline 纪律4T W*]\8o1H
Etch 蚀刻 Error 错误
EE 设备工程师 Emergency 紧急状况
Exit 退出 Entry 进入&}*v#i2Q'Nsn1AMGg
Energy 能量 EQ Status 机台状态
Foundry 代工 Fail 失败!u'IH&SG6QQN ^h
FAB 工厂 Filter 过滤器&Q-v0t^A3NA-Y;^ t
Function 功能
Gas 气体 Gowning room 更衣室0b%qe1S\{7g(d
Hold 暂停 Hot bake 烘烤$r$Z^`8Qg)k!F)e6f;`
I.C 集成电路 Idle 闲置PwP`6s Sqjz
Implant 植入 IPA 有机清洁溶剂@0g`q4G&Q}
Layer 层次 Lot 批
Line 线距 Lot Status 产品状态i%pr2e@0U(sr
Load 载入 Login/logout 注册/离开
Log sheet 记录本 Logo 标志G&g!@jgE7Q C
Location 位置 Login 登录
Logout 退出
Laundry 洗衣房
Machine 机器 Module 部门
Move 产量 Monitor 测机
Merge 合并 Micron 微米
Metal 金属 MFG 制造部:Z2dw*H B%G(J y
Mark 标志 Mask (reticle) 光罩
Manual 手动 Measure 测量C^nFo
Mapping 映射 Mode 模式
Message 讯息 Mean 平均值
Measure 测量
Non-critical 非重要 Out of spec control
Oxide 氧化物 Owner 拥有者'K+]HV_8T:Bh {
O.I 操作指导手册 OPI 操作界面
OOS 超出规格界线 OOC 超出控制界线(ufQ@ js
OCAP 超出管制界线的相应对策 #z [2o-]?^ |

K%H*t!T4T%|QU
\-\*k0yNQ `
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U/^1v-r/H yq7C{w
Pod 装晶舟与芯片的盒子 Photo 黄光或微影jdp)S(fp y[
Particle 颗粒 Password 密码jKb}yj]
Poly 复晶 Passivation 保护层
Polymer 聚合物 Profile 侧面 }Qc.{ GI ^,N s
Power 电源 PN 制造通报@gQ)|F E ~1n
P.R. 光阻 Parent lot 母批
Pause 暂停 Process 制程/过程/程序
PE 制程工程师 Peeling 掀起
Pattern 图形 Priority 优先权
Product 产品 PM 预防保养
Quality 品质 Certify (Qualify) 取得资格/认证合格(T{5M S7_/k
Quantity(QTY) 数量 Queue time 等待时间tL,nd5H!dr&mv4H,P
Recipe 工艺菜单 Rework 返工/重做2DT t)_8}
Robot 机械手臂 Run 跑（货）
Release 放行 Run Card 流程卡
Ready 准备 Recycle 回收J/NJ/x"@[9y
Reclaim 再生 Remove 去除;a?.}7o%yS%|{5d!lH
Request 要求 Reject 退回（出）@p#z^+m%g8I)A%\F
Range 范围 Record 记录 A:s4tt4]bF3`
Review 检查、回顾 Retest 再测试I*iAE-Q d
Rack 货架 )N!h6H"o:^#}wx
Semiconductor 半导体 Scrap 报废3I8V4i.N[$P7u;Cn6F
Si 硅原子 Start 开始-@W!j8h IeHA0|U2e3q
Spec 规格 Schedule 指目录或时间表I`0GulZ5i6m
Step 步骤 Smif Arm 标准机械界面
Smart Tag 电子式标签 Ship 传送
Scrubber 洗刷 Space 空间6{2N5kk5kE)G:lq
SOP 标准操作程序 Stocker 仓储
Split 分批 Shut down 停工
Sticker 标签 Stop 停止:lcG[0La
Standby 准备，待命 SPC 制程统计管制$T)l5|v,xk {]"Aa5W+L
Set up 设置 SPC-Chart 制程统计控制图形
Slot 槽位 Solvent 溶剂 cIs1R%C}dZ1Q
Scratch 刮伤 Sorter 芯片分片/整理机
Summary 总计 Strip 剥去D'_oOx+|!_
Track in 进货 Transfer 传送
Test Wafer 测试芯片 Throughput 产量
Thickness 厚度 TECN 临时工程变更通知
Track out 出货 Tag 标签5DZ7a;VP"u1J^1Bec
Thin Film 薄膜 Temperature 温度
Turn Ratio 周转率（T/R）
Vacuum 真空
WAT 晶圆测试 Wafer 晶圆B%\ VB5e}+{BP5DS
Wafer Start 芯片投入 WIP 在制品9w[~}?7G+pr-NM
Wet Bench 酸槽 Well 井区
W (Tungsten) 钨 WPH 每小时机台产出芯片数
Wait 等待 Warning 警告/[5}$doa
Wiper 擦拭布
Yield 良率         D6t"E bo!n(ZzH]7?!P:Q6u

#zj(kbSq.e@

n4J'e.IT3r1j-f
_$HQR`^8f@AK)y8LE
工作区常用词汇

DIFF Area  （扩散区）;v.MIS V
单字解释单字解释
Pad Oxide 垫氧化层 Gate Oxide 闸氧化层
Field Oxide 场氧化层 Density 密化 Y#tQ?\
BPSG 含硼及磷的硅化物 Backside Etch 背面蚀刻
Anneal 回火 Nitride (Si3N4) 氮化硅S l+e \S]`S8t)|
Furnace 炉管      LdJ3RT7mu-u
Alloy 融合：电压与电流成线性关系，降低接触的阻值 TEOS 四乙基氧化硅：在IC里通常当作绝缘曾使用"Rf.j1['y+UZw
A.M.U 原子质量数 High-Current 高电流iXV0b`ri&h6M3u cP
Angle 角度 High-Energy 高能量
Beam-Current 电子束电流 Mid-Current 中电流OPkU.^X
Depth 深度 Magnet 磁场q(lK[5^
Dose 剂量 Source-Head 离子源
High-Voltage 高压
|^"@mKC;l|

BW+C&iwl%m,w.`8u
ETCH Area （蚀刻区）
单字解释单字解释jI^#D6v!R
AEI 蚀刻后检查 Under Etch 蚀刻不足8D[O+S]W
ASI 光阻去除后检查 Metal Via 金属接触窗:x$Ip7JE?~q;se
Contact Hole 引线孔 Over Etch 过蚀刻rRh'QX[
Descum 去渣 Plasma 电浆PYLZ6oh zX-F3UP
Dry Clean 干洗 Season 暖机l.V2bX-U+k,[]3~
SEM 扫描式电子显微镜 Selectivity 选择比
End Point 蚀刻终点 Electrode 电极

Q}v2YZ AE `QI2n
&k*H*D0O)k[,@B&Le
PHOTO Area （黄光区）
单字解释单字解释
Coating 涂布，光阻覆盖 Execute 执行$v%i4[djz;P,cZG}
Coater 光阻覆盖（机台） Flatness 平坦度%M&] ?m,\?.{3bz(P
Developer 显影液；显影（机台） Focus 焦距l/cz@U6TH^Cv3p
Development 显影 Local 当地的，本地的
Diagnosis 诊断，诊断结果，stepper机台执行测机时之按键 Local defocus 局部失焦因机台或芯片造成之脏污
Dose 曝光量 Lamp 灯'aM[4V!l6t$E*J4H
Offset 弥补 Over flow 溢出
Overlay 测量前层与本层之间曝光的准确度 (套刻) Spin 旋转 Spin Dry 旋干b:A Cak5kOkK
P.R. Photo Resist 光阻 Rotation 旋转
Pilot 试生产 Search 寻找
Query 疑问 WEE 周边曝光
Queue time 等待时间 Register 记录，登记D)Q#Iy*w#_:z:`L)c
Rinse 洗濯 Reticle 光罩a+yzoAW;~
5R#b{^J

fdO2i}U+|
THINFILM Area (薄膜区）
单字解释单字解释
PVD 物理气相淀积 CVD 化学气相淀积HBC1} mx%NeC
IMD 内金属介电层 ILD 内层介电层
ARC 防反射层 Sputter 溅射
RF 射频 HDP 高密度等离子体"Z~&XkT6B
Ti 钛 TiN 氮化钛9r#G0Q+e0E!jh
Stress 内应力 Resistance 电阻b0{)AB\
Kqj.i'?%f;Z$k+MU5Hw

I^ ?0tnd
0_:{2q.dq nW2Q+eu

A
/x H `!GH
AATE （automated analogue test equipmen）自动模拟测试设备
Abformung  塑铸v.B:j;` @|
ABS （anti-skid brake system）汽车防抱死系统（汽车防滑煞车系统）6O*q.u7{rX'YM2dF
Accelerated motion 加速运动
Accelerator 加速器9d/F$x;z*h-]!|
Accelerometer  加速计
acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing) 验收测试(WAT:晶圆验收测试) Sxe2I*B)HH Q
acceptor  受主，如B，掺入Si中需要接受电子
Accessory 附件，零件，附加物，om0vM,@]
Acetic 乙酸的
Acetone 丙酮/``|)a,}0E
Acid 酸的
ACPI（Advanced Configuration and Power Interface，先进设置和电源管理）
Active device有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大）%ysa9Ls8p
Actuator 激励器Jc!T1d6yO'J
adaptive antenna 自适应天线 6g/R6TR([_%g"V
adaptive delta modulation (ADM) 自适应增量调制l6e&Z R;YeP JKm9_0H g
ADC （analog-to-digital converter）模拟数据转换器（模数转换器）0y&r$K]U#?1|H
Address complement pattern 补码地址图形p2ncasoi7E5|5v
Adhesive  粘合性，胶粘；带粘性的k9w-D&LhR"_!yOJ(t
Adsorption 吸附
AE/up efficiency （available efficiency可用效率
AGP（Accelerated Graphics Port）图形加速接口
Air separator 空气分离器，风选器，风力选矿机；除气设备'tB6T Ihg~1T4[
Aisle/corridor 走廊，过道
ALD (atomic-layer deposition)原子层沉积
ALE （atomic layer epitaxy）原子层外延L'I$chSH'O$p
Align mark(key) 对位标记 8kr*R.V)l7W*D%S5S:V
Alignment accuracy 对准精度
Alkali  碱的
Alkaline 碱的，碱性的4?cEL `8n
Alloy 合金 |!E'Ioj3]"h|
ALU （analogue lines unit）模拟用户线单元
Aluminum plug 铝插塞
Aluminum 铝 O,fvl3n\y"@ c
Ambient temperature 环境温度
AMLCD （Active Matrix Liquid Crystal Display）有源矩阵液晶显示l6`jJ0AO
Ammonia 氨水 B9DB-O'a0A+d/T
Ammonium fluoride （NH4F ）氟铵酸9^7s1e1S9y\
Ammonium hydroxide （NH4OH ）氢氟化铵_3mO;tM/x%Z Qi8Q
Amorphous semiconductor:非晶态半导体
Amorphous silicon（αloch-Si）非晶硅（不是多晶硅）
Amorphous 无定形的，无组织的'l!j_"X$`}|$~$H
Analog 模拟
Anchor point 定位点
Angstrom  A（1E-10m）埃(一亿分之一厘米, 用作测量波长的单位, 代号)
Anisotropic 各向异性（如POLY ETCH）
Anneal 退火，焖火
Annealing technology 退火工艺C{DOR1xEs@@f
Anode  阳极，正极uX"Y}N6qw
Antimony 锑
API（ application programming interface）应用程序界面t`%ZD"Ae#d5E
AQL(Acceptance Quality Level) 接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率）
ARC(Antireflective coating) 抗反射层（用于METAL等层的光刻） o/J$e lPo"d}
Argon(Ar)氩 @\)I(x2qMGv(N
Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷
Arsenic(As)砷 0lEl}1[w9UvG
Asher 去胶机 -yt2D-Xi,v
ASIC (application specific integrated circuit) 专用集成电路
Aspect ration形貌比（ETCH中的深度、宽度比）
ASSP(application specific standard products) 专用标准产品
ATE （automated testing equipment）自动测试设备
ATPG （automatically/algorithmic test pattern generatio）测试图形自动发生器iZM Q9P5U?
Audio 音频
Audion 三极管Ih*@"LqZ
Auto music 车载音乐x+Go3YN1`;g;]
Auto doping自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层） automatic (dynamic) compression自动（动态）压缩sbB^W\
automatic power control (APC) 自动功率控制
Automatic test program generation:自动测试程序生成?|7B)T-lG4iLp(O
automatic test 自动测试

B
+n I)j~%f!yg%C5f1M+f
Back end后段（CONTACT以后、PCM测试前）4b a$j1RRJ)I9l)i'T
Back flow 回流；倒流
Back light  背光板
Ballistic device:弹道器件HX)c/ao-M)\)j"I
Bandgap 能带隙
Baseline标准流程 Oz7m.\3LwQ
Batch furnace  批处理炉子  eZ SB6s _M2VU
Bench adjustment  机架调整；试验台上调整
Benchmark基准
BFL （buffered FET logic）缓冲FET逻辑(F1VW;s[7s;c
BGA （ball gate array）球焊阵列封装
BIC test （build-in current testing）内建电流测试
bidding quotation  标盘
Bipolar transistor 双极型晶体管
Bipolar双极 C*an)\)lk
BIST  （built-in self test）内置检测
Blower 吹制工，送风机，吹风机
Boat扩散用（石英）舟 h&xKfCEw)`
Boiler  锅炉1`3fe)c(e$kKrb
Bolt 螺栓+F)YM3c4U(p@
Bond /viscosity / adhesive 粘合剂
Boolean Difference Method  布尔差异法t.SZ7l+^+v
Branch box 分线箱，分线盒 4CDG}#LE
Bridging faults 干扰错误
Bushing 轴衬，套管D!dA UkUC4y+O

C

Cable connection  电缆连接2F_#N{_4jz/^
Cable 电缆
CAD (computer aided design)计算机辅助设计
Cap fill 沟填充
Carriers in semiconductor 半导体中的载流子
Cassette:盒子，盒式磁带
Cathode  阴极U#p*k%~m.p5^
CCD (charge coupled device) 电荷耦合器件)|RqOc,_-r7T9d
CD （Critical Dimension）临界（关键）尺寸。在工艺上通常指条宽，例如POLY CD 为多晶条宽度.y4C^a~6B*[0O
CE （constant electric field）  恒定电场*Pup z,\-f
Cell library for IC design 集成电路设计单元库
Channel  导电沟道0tm#Hr1Csg$H#W
Character window 特征窗口。用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域@ il)kq2t x6q0w
Checker board pattern 方格棋盘图形
Chemical inertness 化学惰性
Chemical injection 压注化学溶液V;jzA&I.OkH
Chemical resistance 化学阻力，耐化学腐蚀性
Chemical-mechanical polish（CMP）化学机械抛光法。一种去掉圆片表面某种物质的方法. Chemical vapor deposition（CVD）化学汽相淀积。一种通过化学反应生成一层薄膜的工艺
Chilled 已冷的，冷硬了的，冷冻的A8r/|%\y
Chlorine 氯
Chuck 卡盘
CIM （computer-integrated manufacturing）用计算机控制和监控制造工艺的一种综合方式/B'Fb9C,mVs
Circuit design 电路设计，一种将各种元器件连接起来实现一定功能的技术
Cleaning technology 清洗技术(K{\;cKfV
Cleanroom 净化间：一种在温度，湿度和洁净度方面都需要满足某些特殊要求的特定区域
CMOS （complementary metal oxide semiconductor）互补金属氧化物半导体：一种将PMOS和NMOS在同一个硅衬底上混合制造的工艺W/y(N R`X
CMP （chemical mechanical polishin）化学机械抛光
Coil  盘绕，卷/B1c9AI5Lg0o
Collimate 校正@-x/X)[$y
Color filter 彩色滤光片J9HnHB.A[?
Commissioning 试运转，试车
Compact model 紧凑模型
Compensation doping 补偿掺杂：向P型半导体掺入施主杂质或向N型掺入受主杂质*mB8bEO4I&x(K
Complement 补充物；补助，补足 N"H@.b$FY-SQ
Compression molding 平板硫化（法）；压缩模型（法）；压模（法）塑料
Compressor  压缩物，压缩机；收缩机
Computer-aided design（CAD）计算机辅助设计
Condensator 冷凝器，电容器;n E1DkGCkII({#E
Conductivity type 传导类型，由多数载流子决定。在N型材料中多数载流子是电子，在P型材料中多数载流子是空穴zH t"u^|,g
Constraint-length 制约长度
Contact 孔：在工艺中通常指孔1，即连接铝和硅的孔!v*k"H.[] B
Containment 屏障nE(O0ui%ua_-VL3H
Continuous duty 连续使用，连续运行，连续工作，连续负荷
Control chart 控制图：一种用统计数据描述的可以代表工艺某种性质的曲线图表
Control strip  控制片
Control valve 控制阀，调节阀Djfqb U
Convection 对流
Conversion  转化，变换
Copper interconnect 铜互连
Correlation 相关性.| g"LHK`JI
Coupled valve 联结阀R1grZz6an C
Cove 窟窿，拱
Cp 工艺能力，详见process capabilityIbQU*y-j
Cpk 工艺能力指数，详见process capability index`.Hc'S-G.A-j4}oA/U
Cracking pressure 裂化压力%{_ZR9\z(es
critical dimension  临界尺寸，中肯尺寸
Cryopump 低温泵1r&Bk+QP8n
Cryptographic 关于暗号的，用密码写的+_k!e,[.p:u
Crystal defects  晶格缺陷)f8D|%Z~ [
Crystal growth 晶体的生长)uKf.o usta y
Crystal structure  晶体结构
Crystallography 结晶学2WD@P"\!}S
CSS （constant current stres）恒定电流2pxoY;w'{)rg
CVD （chemical vapor depositio）化学气相沉淀
CVS  （constant voltage stress）恒定电压
Cycle time 圆片做完某段工艺或设定工艺段所需要的时间。通常用来衡量流通速度的快慢
Cyclotron 回旋加速器X.P sx6a"~$}
*b#r;?x.p2t%\
jt9r?t)Ur
Dtdl2N.e5vJ
DAC （digital analog converter）数字模拟转换器（数模转换器）
Damage 损伤。对于单晶体来说，有时晶格缺陷在表面处理后形成无法修复的变形也可以叫做损伤
damped oscillation 阻尼振荡
Day tank 常用邮箱
DCFL （directly coupled FET logi）直接耦合FET逻辑
Deactivation 惰性
Dead space 死舱位，静区，无信号区，阴影区
Decoder  解码器
dedicated channel 专用信道
Defect density 缺陷密度。单位面积内的缺陷数
Definition 精确度，清晰度
Degas 蒸发7sjK3]Ie t
De-ionize 除去离子:kbe|4s}m
Density 密度
Denuded zone 低缺陷区域$z%X0qs?7{L(~8C
Deoxidant 除氧剂，还原剂I&Z3r%}6ezZ
Deoxidizer  去氧剂，还原剂
Deoxidizing agent 脱氧剂
Depletion implant 耗尽注入。一种在沟道中注入离子形成耗尽晶体管的注入工艺。（耗尽晶体管指在栅压为零的情况下有电流流过的晶体管）
Depletion layer 耗尽层。可动载流子密度远低于施主和受主的固定电荷密度的区域
Depletion width 耗尽宽度。53中提到的耗尽层这个区域的宽度
Deposition 淀积。一种在圆片上淀积一定厚度的且不和下面层次发生化学反应的薄膜的一种方法
Depth of focus（DOF）焦深:? nMI.e
DES: data encryption standard数据加密标准
Design engineering 设计工程BO%CI%dw%Hm9t
Design for testability 可测性设计E JB:Pl
Design for yield 良品化设计
design of experiments (DOE) 为了达到费用最小化、降低试验错误、以及保证数据结果的统计合理性等目的，所设计的初始工程批试验计划2l4DRl(d:f|
desorption 解吸附4`.{+\#^0[;Ws9l
Detergent:清洁剂，去垢剂
develop 显影（通过化学处理除去曝光区域的光刻胶，形成所需图形的过程）
developer Ⅰ）显影设备； Ⅱ）显影液 !Iz:^CM!^
DFM （design for manufacturing）可制造性设计SP6Ac|A S{eC
DHF （dilute hydrofluoric acid）稀氢氟酸g-CE |!m9@P8el]
Diborane  B2H6
Di water  去离子水，无离子水
Diaphragm pump  隔膜泵，膜片泵5PMa+I%nA:b E]p
Diaphragm 横隔模，控光装置;照相机镜头上的光圈；（电话等）振动模
diborane (B2H6) 乙硼烷，一种无色、易挥发、有毒的可燃气体，常用来作为半导体生产中的硼源
dichloromethane (CH2CL2) 二氯甲，一种无色，不可燃，不可爆的液体 m$e [ SjEk$ux
dichloro silicane  SiH2Cl2
die  模：硅片中一个很小的单位，包括了设计完整的单个芯片以及芯片邻近水平和垂直方向上的部分划片槽区域
dielectric Ⅰ）介质，一种绝缘材料； Ⅱ）用于陶瓷或塑料封装的表面材料，可以提供电绝缘功能
Dielectric breakdown 介质穿透$lk8w `|
Dielectric isolation介质隔离
Dielectric strength 电介质强度，绝缘强度G$\Lff;m
Dielectric 电介质，绝缘体；非传导的IM[{r5W(Su
Diffraction 衍射的
diffused layer 扩散层，即杂质离子通过固态扩散进入单晶硅中，在临近硅表面的区域形成与衬底材料反型的杂质离子层
Diffusion  扩散?(J7SrK)k/t4?-`
Dihydride 二水合物
Dilution 稀释，稀释法，冲淡物
Diode 二极管wCB K'F5o u T
Discrete component 分立元件
Dishing 碟形
disilane (Si2H6) 乙硅烷，一种无色、无腐蚀性、极易燃的气体，燃烧时能产生高火焰，暴露在空气中会自燃。在生产光电单元时，乙硅烷常用于沉积多晶硅薄膜
Dislocation loop 位错环/\(}-YL8U{N@
Dispense 分发，分配+S,y1?%w m,z5fT.p
Dispensing pump 分配泵，量油泵
Dopant 掺杂物KV yK0E+Y P
Doping technology 掺杂工艺pO+xz6]0\sV{
Down spout 水落管
Downtime （工厂等由于检修，待料的）停工期&i#f/m0Ge~K
Drive screw  传送螺丝
drive-in 推进，指运用高温过程使杂质在硅片中分布扩散
dry etch 干刻，指采用反应气体或电离气体除去硅片某一层次中未受保护区域的混合了物理腐蚀及化学腐蚀的工艺过程
Dry etchers system 刻蚀系统
DSP （digital signal processin）数字信号处理器H(^2?H6Z!od
DSW （direct step on the wafer）分步重复投影
Dummy fill 虚拟填充
` jWt(S'A
EX(r%`+Hs(lov%X
V%F[ D~;XI
ECL （emitter-coupled logic）发射极耦合逻辑2C9J4Qi|~:FtQ
Edge-scatter 漫射%];S?AF \4a$l+S2_
EEPROM （electric erasable programmable read-only memory）电可擦可编程只读存储器;|o8P#n4\H w5h ]U
effective layer thickness有效层厚，指在外延片制造中，载流子密度在规定范围内的硅锭前端的深度tB6d)[&{c4|6D
Elastomer  弹道体，人造橡胶Q,dp\2zE~5f
electret 驻极体，电介体
electric welding  电焊
Electrical convergence 电性能的收敛:\1fd vU-EB6O
electrical double-layer capacitor  双电层电容器g}y8I-|
Electrode  电极
Electromagnetic crystals  电磁晶体` d0h8`p.cu
Electro-migration  电移&]4K*th+y.^^;?R?
Electroplating 电镀0GKb;S!L1N4m
Electrostatic  静电的
EM （electro migration），电子迁移，指由通过铝条的电流导致电子沿铝条连线进行的自扩散过程
Embedded core 补砂芯
Embedded flash memory 嵌入式闪存4|&e#qo,iT
EML Emitting material layer 发光材料层
Encapsulation 封装TWB @y'qB
Encoder  编码器mWHG&A)_){hD
Encryption  编密码，加密术，密码术
End position 终端
Endpoint detection  终点检测
Energy bands of crystal  晶体中的能带
EOS: electrical overstress 电过压力
Epitaxial growth 外延生长
epitaxial layer外延层。半导体技术中，在决定晶向的基质衬底上生长一层单晶半导体材料，这一单晶半导体层即为外延层o o]W1pd!M
EPROM （erasable programmable read-only memory）可擦可编程只读存储器
equipment downtime 设备状态异常以及不能完成预定功能的时间
ERCS （exponential ramped current stress）指数增加的电流r)tL#m-XT3q"`
Erosion 侵蚀
ESD （electrostatic discharge）静电积累
Etching process 腐蚀工艺
Etch 腐蚀，运用物理或化学方法有选择的去除不需的区域
ETL （electron transport layer）电子传输层
EUV （extreme ultraviolet lithograph）超紫外线光刻
Evaporation system  蒸发系统
Evaporation technology 蒸发技术j:\Py*S8N$HD'{
Exposure 曝光，使感光材料感光或受其他辐射材料照射的过程
Extension tube: 伸缩管
Extrude  挤压出，挤压成，突出，伸出

F
Fab manager 生产经理&[T'pXu Y
Fab 常指半导体生产的制造工厂
Fail-safe  自动防故障装置（的）2i+nV1C}
Failure density function  失效密度函数'Q+G:Q2ap5l
Failure distribution function 失效分布函数+d@3Vc e0\R
Failure models 故障模型2e?-y7D-c
Fault grading:故障评估
FDP （flat display panel）平板显示器h\u*UJ1sJa7Zn:c
feature size 特征尺寸，指单个图形的最小物理尺寸
ferroelectric random access memory (FeRAM) chip铁电随机存取存储器
FET （field effect transistor）场相应晶体管F`ob&XC&lp\\
field-effect transistor（FET）场效应管。包含源、漏、栅、衬四端，由源经栅到漏的多子流驱动而工作，多子流由栅下的横向电场控制
FIFO （first-in, first-out）先入先出'Xa.Zm$y
film 薄膜，圆片上的一层或多层叠加的物质}R~!ez
Filtration 过滤，筛选
Fine thread 细纹，细牙螺纹；细线
Firm & impervious joint  牢固接合
Firm acceleration  稳定加速
Firm bargain  实盘交易_r9[vJZw+\F+Q
Firm capacity  可靠性容量4uU;Dd.A8ZM
Firmware:固体，韧件（软件、硬件的结合）：programming instructions that are stored in a read-only memory unit that rather than being implemented through software存在只读存储器中而不是通过软件来执行的编程命令j1sh7W-tC
Fitting  装配，装置0k]"}Gl_*|7E
Flared end  扩口，圈口（玻璃制品热加工）；扩边，管子接头的边
flat band capacitance  平带电容 \s)@^]:A9A
flat band voltage  平带电压
Floor planning 布图规划8WTP;A`
flow coefficient  流动系数 6^0f6g.B YA
Flow factor 流量因数MjKi({B$mT
flow velocity  流速计
flow volume  流量计
Fluorescent lamp 荧光灯（管），日光灯（管）E'S+}-s K
Fluoropolymer  含氟聚合物
flux  单位时间内流过给定面积的颗粒数 I'F8Hhn;q5a_0X&f
FMEA (failure mechanism effect analysis) 故障模式及结果分析
Folding 可折叠的
forbidden energy gap 禁带 2{5^ _`&iaF6?~
Foreign body  夹杂物（玻璃缺陷），外来物体SI*o5mc|0BK5D WE
Forming tool 成形工具WX!n9q1V4|-VsW
four-point probe 四点探针台
FPD (fission-product detection) 裂变产物探测gDF#A[9Z8SN
FPSLIC (field programmable system level integrated circuit)现场可编程系统级集成电路x7Dd3G'G.V2N
Frequency synthesizer 频率合成器
Front view  正面图，正视图9y:wR&?,FA
FSI （failure symptom index）故障征兆指数
functional area 功能区 PNH Zt
Furon:富沦（聚酰胺纤维）:B!`P9Su
Fuzzy logic integrated circuit  模糊逻辑集成电路:J z)vl&\

G
6zQ8d+i0Q&? e
GaAs on Si substrate technology  硅上砷化镓技术
Galvanization 镀锌C;f"N7Dd\GTd&V&x M
Galvanoformung  电铸@~8a[i
Gas panel 充气板，气体显示板
Gasket 束帆索，垫圈，衬垫[X _{4mN
Gasoline 汽油}p6?+U$h;y~ ~
gate oxide  栅氧
Gel  凝胶体Q NNz;}G
Glass substrates 玻璃基板4zKbN[i*yoS
glass transition temperature  玻璃态转换温度 1@d-x0WpTa
Glycerin  甘油，丙三醇vds NJ4w| jyf
gowning 净化服 g+K)tm0]0{#L5J ZG(D
grazing incidence interferometer 切线入射干涉仪
GRP （global routing pool）集总布线区
iU9O_.d(]dM
(xEk$FXZ.Z
H
;q!{ D JZ.jH6zm
Halide 卤化物
hard bake  后烘
HBT（heterojunction bipolar transistor）异质结双极型晶体管：是一种独具特色的半导体合金，其界面两侧由两种不同的材料构成，一侧是纯Si另一侧是Si-Ge。
HDI （high-density interconnection）高密度互连Y7y6S9|e"h(uqM;UZ0F
Heating element 发热元件，发热器
Heavily doped 重掺杂$X7v~:vE_rP
Helium leak detector  氦检漏器（仪）:Kv-O*\|zFz
Helium  氦
Heteroepitaxy  异质外延（单晶长在不同材料的衬底上的外延方法）vKu)b i|2A-mw H
Heterogeneous nucleation  非均质成核
Hierarchical design  分层分级设计O~[o.il`8c
High electron-mobility transistor 高分子迁移率晶体管*ZI](V,p
high-current implanter 束电流大于3ma的注入方式，用于批量生产
high-efficiency particulate air(HEPA) filter 高效率空气颗粒过滤器，去掉99.97%的大于0.3um的颗粒 h+P$C7xW
homoepitaxy 同质外延
Homogeneous nucleation 均质成核5J)HGMDnR
Host 主机
hot carriers 热载流子 7T#{r^;I6S3\,e8CL
Hot embossing 用热模压印浮雕图案CEu9Qo^g3^,r
Hot molding 加热模压法7Q3^:ae"S/@mr
HSTL（high speed transceiver logi）c高速收发器逻辑
HTL （hole transport layer）电洞传输层
Hydrophilic 亲水性
Hydrophobic 疏水性
I

IC(integrated circuit) 集成电路
I/O（Input/Output，输入/输出）j(N6Dt1Z^
I2L circuit （integrated injection logic circuit）集成注入逻辑电路Q6\pO;D^"B&[C(L\
IDE  集成电路设备（integrated device electronics），智能磁盘设备(intelligent disk equipment)
Images 去掉图形区域的版 [[N&v.hmKb{
implant  注入 M-JZ&KqG`\ } gJ&C
impurity  掺杂
Incandescent  白热的，白炽的，遇热发光的
Indium  In 铟m Dy$y"y
inductive coupled plasma(ICP) 感应等离子体
Inductive  诱导的，感应的
inductively coupled plasma  感应耦合等离子体
inert gas  惰性气体 Wg0\ y,f xw
infrared 红外线（的）~4CqU zWkd1C
Injection molding  喷射造型法；喷射模型法
In-line  同轴的，嵌入的，内嵌的
Inner bore 内孔KqH T`,V M7m k
Inorganic  无机的m+IamsH`
installation wiring impedance  装置连线阻抗
Insulation 绝缘，隔离，绝热
Insulator  绝缘
In-system programmable logic device 系统内编程逻辑器件U]P Xq5pG7d}
Interconnection and layout technology 互连布线技术
Internal chamber  内室，内腔
Interpolation 窜改，添写，插补
Interstitial:  填隙，空隙的，裂缝的
Inverse 反转的RaZdu9?0Q;|
Ion beam doping  离子束掺杂技术*]Ek,^:t;GaB1|
Ion implantation technology 离子注入工艺
Ionic extractable  离子提取9us%?c X
ISA  (industry standard architectur) 工业标准结构e"^e"~L0I
ISD (ion shower doping) 离子淋浴掺杂
isolated line  隔离线
Isolation technique  隔离技术
ITO glass(Indium Tin Oxide)导电玻璃s:eb`(QHK6s+`&p
t,{\ ~ S"idkL
J

Jumping pattern  跑步图形aV/Y^/_;V&c(S C5z
Junction box  接线盒，分线盒
Junction breakdown  结的击穿u-_"[L!fq#VW
junction spiking  铝穿刺
junction 结
4hN#U[1r8r"w

K
Kerf  划片槽
Kink 结（n）

LiB'n,GI!{$r5U

Laminar flow 层流bNtaNj#h)e
Lateral 侧面生长3@6J3EYz9TtR
Lattice 格子P:B2]3i ?FV X
LDD （lightly doping drain）漏区掺杂*S,pejkicBB#r
Leak detection  检漏，密闭性检查Qz6`X9?
Leakage current  漏电流
LED  （light emitting diode）发光二极管
Leveling  使成水平，测量高低)V,r6p#[u&RG1`0R*g}
LFSRs （linear feedback shift register）线性反馈一位寄存器
Light bulb  电灯泡
Lightly doped  轻掺杂
Lightning rod 避雷针
Link layer  链路层
Lithographic process  光刻工艺
lithography 制版 vecRNg d
Lithography  光刻'MiR(|gwq `
Local bus 局部总线
Localizer 定位器
Locknut  锁紧螺母，防松螺母8K2a&z)V*C6Qu
LOCOS （local oxidation of silicon）硅的局部氧化tMrw[c g,Oh
lorosilane (DSC) 二氯甲硅烷，一种可燃，有腐蚀性，无色，在潮湿环境下易水解的物质，常用于硅外延或多晶硅的成长，以及用在沉积二氧化硅、氮化硅时的化学气氛中M9q8w'CRVz
Low power consumption light  节能灯SVt5x'FD
Low power consumption  能量消耗低
lowest usable frequency 最低可用频率4K'l(H:v6yE)\*F
LPCVD（low pressure chemical vapor deposition）低压化学气相沉积"G@/U-OY'R1U
LPE（liquid phase epitaxy）液相外延e)m2s d7x
LRVS (linear voltage ramp stress) 线性增加的电压
Lumen 流明（光通量单位）
m@_^,p'FX!`
M

magnetic head 磁头：An electromagnet that can perform one or more functions of reading, writing, and erasing data on a magnetic data medium.  一种电磁装置,可实现读、写或清除磁数据媒体上的数据的一种或多种功能。(K2Bu bhS
Main body  主机，机身，主要部分l&Q[UZ3R H
maintenance  保养，维护
majority carrier  多数载流子 m'O?Q`h8`
Manifold  多叉管，多头导管 i%B&B!V!e7p)rfS
Manipulator  机械手
Marching pattern :跨步图形/NxzCX9zqh,C
Mask generation 掩模版生成!B8tdQ Z
masks, device series of n 一成套光刻版 $IK){iC
Mass flow controller  质量流量计
Master schedule  主要图表，综合图表，设计任务书，主要作业表
material  原料
matrix 矩阵
maximum frequency of oscillation  最高振荡频率
maximum usable frequency (LUF)  最高可用频率
maximum useful power  最大有用功率
MBE (molecule beam epitaxy)  分子束外延/@8_|6S;jhS6UtmG
MCM (multichip module)多芯片模块
mean 平均值 "|9f]-o"NT6M8G(e-H
measured leak rate 测得漏率
median  中间值tO7stq EP]
Memory characteristics of Nanocrystals  纳米晶存特性
Memory scan pattern 存储器扫描
MEMS (micro electro mechanical system) 微型机电系统^+~dP['?W6A#O&|
metal  :金属
Metal-semiconductor contract  金属半导体接触8c!r7H8aL8OU
Metrology  度量衡学，度量衡X{'Mb5f_j
Microelectronic packaging technology  微电子封装技术'}W vxCm#sM
Micromachining  微制造
minimum shift keying (MSK) 最小频移键控l6x;Cv2m\ i:y E
final inspection 最终检验0Cu]B-_:O]q
minimum usable field-strength (Emin), minimum usable power flux density (Pmin) 最小可用场强，最小可用功率通量密度
MIOC: Memory and I/O Bridge Controller，内存和I/O桥控制器}Y2@\;`v${\
MIP (metal induced pitting)（蚀损斑，氢气泡疤）
Mixed signal IC  混合信号ICn,EQht y
Mobility 迁移率
MOCVD (metal organic chemical vapor deposition) 金属有机物化学气相沉积
Modem (modulator, demodulator):调制解调器!JuW6{.^
Modification 更改，更正，修改%su,A+?'U\Z
Modular 模的，有标准组件的4gWMTK$P2\.i
Module  模块QW(f3L#H/AU?Q)n
Monohydrides 一水合物Xu;D;n[&d(LTZ:p
Monolayer 单层
MOS memorizer  MOS型存储器&K'`} jXD(zh
MOS （metal-oxide semiconductor）金属氧化物半导体%V+e;|b0v&q}/?
MOSFET （metal oxide semiconductor field effect transistor）金属氧化物半导体场效应晶体管C+|;tsx
MOST （media orientation system transmission）媒体定向系统传输
Mother glass  母玻璃!X-\+l(_3ew1]8n
MSPS  （multiphase serial-parallel-serial storage）多相位串行-并行-串行存贮器
MTL （merged transistor logic）并合晶体管逻辑
Multiple-value logic IC  :多值逻辑集成电路
Mylar  聚酯薄膜
.Y p/z\i6WF
N
]H2s,@?bzm8U;s
nanometer (nm) 纳米
nanosecond (ns) 纳秒
New thermal donor:新热施主3K7N0M0r$?$rs8oS
Nickel 镍 w^_-}O2?
nitride etch  氮化物刻蚀 $m!}h+d'z?^#MH
nitrogen (N2 )  氮气，一种双原子气体 S%F:zAZO
Nonvolatile  非易失性的:yUm*S0@0I*@,U ~
n-type  n型 SDn,t;^ a0qqo
NVM （non-volatile memory）非易失性的存储器

O
K U:]J7ERxTq
OEE （overall equipment efficiency）全面设备效率
ohms per square  欧姆每平方，方块电阻 iET5M5THlm
Old thermal donor 旧热施主I'j~n amE|&u
OLED（organic light emitting display）有机发光显示器
One-dimensional linear cellular automata  一维线性蜂窝发生器TeQG+lY-D4O
Optical heterodyne alignment method  光学对准方法
Optical transceiver 光传输:d0UsQX9b,c n+W
Optimal performance  最佳性能%~g$E*Xg
optimum working frequency (OWF) 最佳工作频率
Organic acid  有机酸
orientation 晶向，一组晶列所指的方向 @ a/v&s0g]$t)D t
orientation layer 定向层C:m PrHO,T
Orifice  孔，口;VI,{;o9gB4w0V$S9L
Orthogonal walking pattern 正交走步图形D8S6thp0VZv
Oscillator 振荡器
Out-diffusion  外扩散 JRE+s'ZH0s
Oven  烘箱,V+Q#g0Vj
Overlap 交迭区
Over-polishing  过抛
Oxidation technology  氧化工艺b @0UIv ~E
oxidation 氧化，高温下氧气或水蒸气与硅进行的化学反应 X8nh)F:RI wuTxp
}'TT}%x%}8|M7\
7Cs;Kz5_bj
P

Panel 面板，嵌板，仪表板G%FfhB&Z6i
Passivation  钝化 |0H)n3j5W4y
Parameter 参数xB^E;g`"\
Pattern sensitive faults 图形敏感错误
PCB  （printed circuit board）印刷电路板
pedestal 基架c jy0krr7G[4C
Perimeter 周长，周界
PERL （practical extraction and report language）实用提取和报表语言
Permeability 渗透性
PGILD （project-gas immersion laser doping）离子体浸没技术b:pp.J-Jx@a7E
PH： A measure of the acidity or alkalinity of a solution, numerically equal to 7 for neutral solutions, increasing with increasing alkalinity and decreasing with increasing acidity. The pH scale commonly in use ranges from 0 to 14. 酸碱度：溶液酸性或碱性的度量，数值等于7的为中性溶液，数值增大表示碱性增大，数值减小表示酸性的增大。PH值范围一般在0到14之间
Phase locked loop  相位锁定环XJ6voXe7s
Phase-shift masks  移相掩模8B+S w&W4o,r2q8H/pRN)j:G
Phosphine PH3
phosphorus (P)  磷，一种有毒的非金属元素 J)AqS"NZ(HC
photo mask  光刻版，用于光刻的版
photo mask, negative 反刻 7R!l$E L7Km6|2k8RxL
photo mask, positive n 正刻
Photoelectricity 光电.^iMGJ5O1Ng%tM
Photon 质子
Photonic bandgap materials  光子带隙材料
Photonic crystal 光子晶体L`)| c{[W%}f
Photoresist  光刻胶，感光性树脂，光致抗蚀剂，光阻材料f Ec/PW4AvP
PIC: power integrated circuit  功率集成电路
PIID: plasma immersion implantation doping 等离子体浸没掺杂
PIIX: PCI ISA/IDE Accelerator（加速器）
pile cap 桩帽4FY(ZSR5Rv
pilot 先行批，用以验证该工艺是否符合规格的片子 5Iw$i{o Y-P#nN
pipe 管，导管1Sd9P"GD'A/Sz0x
Piping system  管道系统!|HvT![K
Pixel  像素
planarization 平坦化
plasma  等离子体，用于去胶、刻蚀或淀积的电离气体
plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) 等离子体化学气相淀积，低温条件下的等离子淀积工艺
plasma-enhanced TEOS oxide deposition  等离子加强的TEOS氧化淀积，淀积TEOS的一种工艺 XG8b,NcVK'H2\
plate 镀金等(nu}GJH'S
Platform  平台,c9`?;{0f N6l
PLD （programmable logic device）可编程逻辑器件
PM: periodic maintenance) 定期维修（养护）/`+seA0W8c ub
PN junction PN 结J$ahNtr
Pneumatic  装满空气的，有气胎的，风力的；气胎
Pneumatically  由空气作用
PnP （plug and play）即插即用
pocked bead 麻点，在20X下观察到的吸附在低压表面的水珠 l Lv5b;W-A4uk7~
polarization 偏振，描述电磁波下电场矢量方向的术语
polycide  多晶硅 /金属硅化物，解决高阻的复合栅结构
polycrystalline silicon (poly) 多晶硅，高浓度掺杂（>5E19）的硅，能导电
Polymer 聚合体
Polymer film  高分子膜
Polymorphism  多态现象，多晶形成一种化合物以至少两种不同的形态结晶的现象QiS~.m%t*^,f
Polysilicon  多晶硅{eh}s [9r]
Poly-sil-xGex  多晶锗硅CCp0\%{qH:s
Porocity 透气性
Positioning accuracy 定位精度4uIN#^J ?6I1x
Positive/negative photoresist  正/负光刻胶
Power device  电力电子器件
PPM （pulse-position modulation）脉冲定位调试rJl/iw2z)H#|7{
Precision tool/instrument 精密仪器
Pressure drop  压力（强）下降h-rp9aB;p6|
Pressure regulator  调整者，校准者，调整器，标准仪OVM!fvH
Pressure sensor 压力传感器（敏感元件） q_`?Xs\-J(w?
Pressure transducer  压力传感器（换能器，变换器）
Priority interrupt 优先级中断
private data network  专用数据网 {f x:t|$s
prober  探针。在集成电路的电流测试中使用的一种设备，用以连接圆片和检测设备
Process contamination  （工艺）流程污染!@{lU5L,wbt
process control :过程控制：半导体制造过程中，对设备或产品规范的控制能力
Programmable logic device  可编程逻辑器件
proximity X-ray  近X射线：一种光刻技术，用X射线照射置于光刻胶上方的掩膜版，从而使对应的光刻胶暴光
PSE36 （Page Size Extension 36－bit），36位页面尺寸扩展模式
Pulse-width modulation 脉宽调制M0r6J8akcg
Pump 泵，抽水机
Punch through 穿透（雪崩效应）
pure water  纯水。半导体生产中所用之水
Purge valve  放气阀
Purge  精华，清除，泻药；（使）净化，清除，肃清
PVC (polyvinyl chloride) 聚氯乙烯+Q(h5^7}-rx
PXB (PCI Expander Bridge) PCI增强桥9H#Cja:UZ'C-j5I
Pyrogenic 火成的，高温所生的~yl!cs

Q

QPA  (Quad Port Acceleration)  四接口加速E`V\(FDbD!K
Qualitative analysis  定性分析
Qualitative 定性的6Bg ~|N f+o:`
quantum device 量子设备。一种电子设备结构，其特性源于电子的波动性}4Y1?k1V `Ea
Quantum electronic device 量子电子器件
quartz carrier 石英舟P%L C g$R Q:D2bU
Quartz ware    石英器皿)X8o+D;~.s3}f
quasi-peak detector 准峰值检波器
Quick-release 快速断路.u1o g1b)iA
:}8?1{*B&O$T

R#Y3d7ZR5r%u

random access memory (RAM)  随机存储器
random logic device 随机逻辑器件
rapid thermal processing (RTP)    快速热处理
RCG (RAS/CAS Generator)  RAS/CAS发生器
RDK (reference design kit)  参考设计工具套件z_hB6vy;l~~V
reactive ion etch (RIE) 反应离子刻蚀
reactor 反应腔。反应进行的密封隔离腔L[ C+R:c ]u,_
Rear view  后视图Kwh N]&g
Recalibrate:再校准，重新刻度，重校
Recipe 菜单。生产过程中对圆片所做的每一步处理规范nm,FN(]1v
Reciprocating  往复的，来回的，交替的，呼唤的；摆动的
Rectifier 整流器
Reduction chamber  减压室#Kx@1p7osd.L
Reflect 反射
Refractive 折射
Regulator  调整器，调整者，校准者，标准仪
Reliability function 可靠性函数
Reliability test 可靠性试验/测试
Remover 剥离器
repeater 转发器qk&B"B R9k!I
resist 光刻胶oO)e]6_#x ~3w_
Resistivity of semiconductor 半导体的电阻率5sc|+wY!qA
Resonance 共振，谐振{Ot3z2Y
Reticle 十字线，刻线:O%bu"U&q[Z
Retrofit 式样翻新，花样翻新B9Y E:hhB%hhGBmg
RFID  (radio frequency identification) 无线射频识别系统
RIE （reactive ion etching）反应离子刻蚀\*olR6d1cB
Right view 右视图[u vhK"v|
Rinser 清洗装置，冲洗器.o,K'VFg.}0a&O3\~/R
Rotating shaft 转轴\H#ZW.AxF
RTA  (real time analyzer) 实时分析器.V(o0baM0Q
RVD (rapid vapor-phase doping) 快速汽相掺杂't AjyZN#TD0sWg
y)Yn'n z%oX6~%H
1n6_!~(o Z5p mk
S

sacrificial etchback 牺牲腐蚀
salicidation 硅化
SBC  (South Bridge Chip)  （南桥芯片）
Scan testing 扫描测试
scanning electron microscope (SEM) 电子显微镜(SEM)
Scan-path testing 扫描通路测试
Scavenger 清除剂，净化剂，换气管，扫气装置
SCE  (shallow channel effect)  短沟效应
scheduled downtime       (设备)预定停工时间
Schottky barrier diodes    肖特基二极管#n9i)Va\ Tf
Screw thread    螺纹
scribe line  划片槽 Vw1KE/S [
seed layer 种子层
Segregation coefficient 分凝系数，偏析系数 oY/?:Ut5[ym
Self flushing 自我冲洗
self-discharge    自放电
self-excited oscillation    自激荡器YM'M;KiO'z
self-test    自测试c&pn(YT?y!S0Z
Semiconductor detector for particles    半导体粒子探测器
Semiconductor diode          半导体二极管
Semiconductor          半导体。电导性介于导体和绝缘体之间的元素n2x*u?#Ov:_
Sensor 感应器P8B&kt)Mzz
Service pipe 给水管` ?;ha3m!G+F!o
sheet resistance (Rs) (or per square)  薄层电阻。一般用以衡量半导体表面杂质掺杂水平
Shock tester    震动（抗震，冲击）试验机
Si TFT 非晶硅薄膜晶体管:Et O!ku
side load 边缘载荷，被弯曲后产生的应力
silicane tetrachroloride SiCl4
Silicided polysilicon gate 硅化物多晶硅栅
Silicon compiler 硅编译器(bv@ mHR3A'p+p3FPm
Silicon dioxide 二氧化硅:o-K)AI.q"U
silicon on sapphire(SOS)epitaxial wafer  外延是蓝宝石衬底硅的圆片 /L4yX,I?!o&?
Silicon wafer direct bonding technology 硅片直接键合技术
Simulation  仿真，假装；模拟 U7z^$c4LlZP
Single pin 单针yC$^WzZ-\+]
Single shot 单脉冲In:q2JKWU1f
Sink  水槽，水池；接收器?'g!mj7[O3Y]_
SiP  （system in package）系统级封装g8J s vka
small scale integration(SSI) 小规模综合，在单一模块上由2到10个图案的布局 Y8HI9L`0o#oI
SMB（System Management Bus）全系统管理总线D2zQv0sh)eR
SMT: surface mount technology 表面安装技术)TJb&^P6|`
SOI  （silicon on insulator）  绝缘体上硅)U;co}.a5r Q
Solar battery :太阳能电池 GK-PX }!zmY{"\
Solid solubility 固溶度
Solid-phase reaction 固相反应dO3j6w2De'S0|
Solid-state image sensing device :固态图像传感器件 p,[teM L9I"Mq(]
Solution 溶剂'a_Ny)bk
Solvent 溶剂
SOP  （system on package）系统级封装'{` I$nL%HC4?
source code 原代码，机器代码编译者使用的，输入到程序设计语言里或编码器的代码,A6EU%m1gv
SPC （statistics process control）  统计流程控制BzL.dJHJ t:b/Q
SPD（Serial Presence Detect）  连续存在检测装置
spectral line 光谱线，光谱镊制机或分光计在焦平面上捕捉到的狭长状的图形ah#vi{.Y"Cr$D
Speech recognition 语音识别(ck(RJhEx*P/B,|
SPI  （single-program initiation）  单个程序启动W&FbF zu&b)cWe@9]W
spin webbing 旋转带，在旋转过程中在下表面形成的细丝状的剩余物` R:~,Lcb!\+s
Spinning coat 旋转涂敷&f3lX!ZvZk,@
Spray 喷雾
Spring 弹簧，发条
sputter etch 溅射刻蚀，从离子轰击产生的表面除去薄膜l9Pi}4[@n
Sputtering system  溅射系统\qpPNk wcM
Sputtering technology  溅射技术
SPV  （surface photo voltage）  表面光电压法
SSB  （Super South Bridge）超级南桥芯片?i7J8_#VE4U {#flA
stacking fault 堆垛层错，原子普通堆积规律的背离产生的2次空间错误
Stacking fault  层错Bx r,?3J4a,n&S-F;{%k
Starter 启动器
steam bath 蒸汽浴，一个大气压下，流动蒸汽或其他温度热源的暴光
step response time 瞬态特性时间，大多数流量控制器实验中，普通变化时段到气流刚到达特定地带的那个时刻之间的时间
STI  （shallow trench isolation）浅沟槽隔离
Stopcock  管闩，活塞，活拴，旋塞阀[*Tx5s L1R;S\xvn1o
Storage tank  储油罐
Straight through flow 直通流动
stress test 应力测试，包括特定的电压、温度、湿度条件
Struck-open faults  固定开路错误A{pYTj?8^
Stuck-at faults  固定错误8L?0tHl r6KC8s
subframe 子帧 V1{|Q.? tDK])q
Sub-micron 亚微米
Substrate  沉淀]\c Y)Cj'z
Suck in/ swallow  吞没
Suckback 反吸，倒吸
Supercapacitor  超级电容器
Surface & interface of solid 固体的表面与界面E-|2hquBh]
surface profile 表面轮廓，指与原片表面垂直的平面的轮廓（没有特指的情况下）
Switch cabinet:开关柜，配电箱
SXPL  (soft x projection lithography) 软X射线投影光刻T3P.{^R0\8Y
symptom 征兆，人员感觉到在一定条件下产生变化的弊病的主观认识oP gj-Q-A'Q
Synchronous programmable interrupt controller  可编程序中断控制器R*c)Vj;Vb;Gas
Synthesizer 综合者，合成器`x wD$ri
System bus  系统总线)?!zcq1f,tD(};v
System integration  系统集成
u,f6}!j\*Kbe)O

T

tack weld 间断焊，通常在角落上寻找预先有的地点进行的点焊（用于连接盖子）
Tank lorry  水柜（汽油柜）车
Tap  水龙头
Taylor tray 泰勒盘，褐拈土组成的高膨胀物质 M:^SZ^"t
T-bar  丁字架，丁字铁
TCR (temperature coefficient of resistance) 电阻温度系数
TDP  (Triton Data Path)（数据路径A^,xT;O;G#]&K(T3N
temperature cycling 温度周期变化，测量出的重复出现相类似的高低温循环
TEOS  (tetraethyl orthosilicate) 四乙基原硅酸盐Ic|2M#g(Gm
TeraHertz Transistor:太（百亿）赫兹晶体管SIoL*c#qd_
Test management system  测试管理系统
Test paper  试纸[*r`0};qL9B$ki4w
testability 易测性，对于一个已给电路来说，哪些测试是适用它的
Testability  可测性
TFT substrates  薄膜基板
TFT (thin-film technology)  薄膜工艺y%f|K(A,@
Thermal convection  热电对流y$JyY4|
thermal deposition 热沉积，在超过950度的高温下，硅片引入化学掺杂物的过程*t@/n"T F3I@8W
Thermal diffusion  热扩散
thin film 超薄薄膜，堆积在原片表面的用于传导或绝缘的一层特殊薄膜
Time exposure  定时曝光
Time switch 定时自动开关&\5A$[3s3X
Time to market 面市时间^'BdG-_tp
tinning 金属性表面覆盖焊点的薄层l _J ZSl?i6d
titanium(Ti) 钛
toluene(C6H5CH3) 甲苯。有毒、无色易燃的液体，它不溶于水但溶于酒精和大气 a\H5?#]S
1,1,1-trichloroethane(TCA)(CL3CCH3): 有毒、不易燃、有刺激性气味的液态溶剂。这种混合物不溶于水但溶于酒精和大气
tool test  成套工具，工具箱x_&~R"dV!G^q8u7P
torr 托。压力的单位
total distortion factor 总失真系数
total fixed charge density(Nth)  硅表面不可动电荷密度的总和：氧化层固定电荷密度(Nf)、氧化层俘获的电荷的密度(Not)、界面负获得电荷密度(Nit)ej&`9pw1g
total loss (of a radio link) 总损耗（无线线路的）
Touch panel  触摸屏
Transformer 变压器
transition metals 过渡金属
Transmitter  基带!Aq*l6A)}(Y(af
trench  深腐蚀区域，用于从另一区域隔离出一个区域或者在硅晶片上形成存储电容器cx3MY)F0R
trichloro silicane SiHCl3)|!}ZM1@D$`l
TSC  (Triton System Controller)  （系统控制器）
TTL  (transistor-transistor logic)  晶体管-晶体管逻辑电路1xH[%okk ~
Tubing 装管，管道系统，管形材料；管状的，官制的，管的
tungsten hexafluoride(WF6) 氟化钨。无色无味的气体或者是淡黄色液体。在CVD中WF6用于淀积硅化物，也可用于钨传导的薄膜Q6A LM+n h\:tI
tungsten(W) 钨Y5\s][
Turbine pump  涡轮抽水机，涡轮泵
Turbine  涡轮l|/dRV
Turbo  涡轮（发动机）；增压涡轮Peq_IV!aC
Turnbuckle  螺丝扣，套管螺母7s:N Pt\ y7lm
Two-way quarter turn  直角转弯H fz_ AG~ CM1E

m7GGRdsu
U(?;w%s+SKn
:Y5Vy+jR
Ubiquitous age  泛网时代
UBM  （under bump metallurgy）  焊点下金属
UHV  (ultra high vacuum) 超高真空3@+[5H(T2q)j~d+l-E
Ultra-high special IC  超高速集成电路
Ultrapure water 超纯水L'~nik(Sh/e
Ultrapure  超纯的%S*] r t;V,l}%A
Union 管套节，连接器，接合
Up/down polarizer  上/下偏光板
Uptime  （计算机等的）正常运行时间
USB （universal serial bus）通用串行总线架构（Intel开发的技术）0z6Gy5Z[/E&v

V
%cv N$_ q'x
Vacuum blower 吸入式输运器；真空式吸送器x|*{"px)Q
Vacuum pump 真空泵，蒸汽吸水机yjOU!QJ;}'^\#l A
vacuum 真空!i.j~3Y"h*BP
Valve box: 阀（闩）室，阀箱，阀盒zb6I\7C
Valve  阀，电子管，真空管
vapor pressure 当固体或液体处于平衡态时自己拥有的蒸汽所施加的压力。蒸汽压力是与物质和温度有关的函数4cMF k&@?[F
VCO  （vector-controlled oscillator）  压控振荡器"k gd2S:l3y7J_%PE
Ventiduct 通风管e#JW/wF)m+G(~!^
Ventilate 使通风，给厎.装通风设备
Ventilation 通风，流通空气
Vessel  容器，器皿，脉管，导管!p Q/}ia \d
VFD  （vacuum fluorescence display）  真空荧光显示器
Via  通孔。使隔着电介质的上下两层金属实现电连接S I{yao1w3w
Vibratility  震动性；颤动性
Vintage  制造年期
Viscosity 粘质，粘性4\P-Qq^#u$G

W3\&O0A/F/`IGt

wafer flat  从晶片的一面直接切下去，用于表明自由载流子的导电类型和晶体表面的晶向，也可用于在处理和雕合过程中的排列晶片
Wafer level reliability test 硅片级可靠性测试
Wafer probes  晶圆探针
wafer process chamber(WPC) 对晶片进行工艺的腔体
Waling pattern  走步图形w0\ hxSXT2^.g
Water line  吃水线，水位
Waterproof 防水
watt(W) 瓦。能量单位qZ8AEY@LM$H
Wear  磨损3^#\iU?0^`
well 阱S*D[7? i o3?Xr
wet chemical etch 湿法化学腐蚀
Wet processing  湿处理:M_m2Q+p+s2^"z,h0[
window  在隔离晶片中，允许上下两层实现电连接的绝缘的通道PTK#[9Y.P[I]
Wire conduit  导线管K;nq#r3k |M
Wireless access technology  无线接入技术
Wireless local loop  无线本地环路
Wiring 配线
WIWNU  （With-in-wafer non-uniformity）硅片内不均匀性8j6JKGpV%y4Z

X?6R,G4AABv
d\u8}0V"g!Y?W
XRD  （x-ray diffraction）  X射线衍射 s;[4wW!drI2q3V7p
#H+wMYSc"^ {
Y
#o"D)~:ilT
Yield 良率

hhnec 发表于 2007-4-29 21:27

这两个帖子被我合并了！:lol

wanglei1281 发表于 2007-4-30 13:55

确实不错,佩服!值得好好学习!谢谢!:lol

FANXD88 发表于 2007-7-11 14:13

空调设备英文简称

FCU ：风机盘管 fan coil unit 2nE/ZE4j(Rin(P
AHU ：空气处理单元 (空气处理机) air handling unit o0] L.N&E1R
FAU ：新风处理单元 fresh air unit zd+b|d].q1~
HVAC：供热通风与空气调节 heating ventilating and air conditioning 1Mc"F&E/m(UF
DCC ：干盘管（干式盘管）Dry cooling coil
FFU：风机过滤单元 Fan filter unit !H(byW_'G
MAU ：新风空调箱 Make up air hundling unit schedule O$\4i%Y-a2C3a;t$G
AHU：  空气处理单元 Air hundling unitp\)_hS0]o/]F#F
HEPA：高效空气过滤器  High efficiency pariculate air qin*Yc+e)GJy1j
RAC：循环组合空调单元 Recirculation air cabinet unit schedule
C/R：  洁净室无尘室 Clean room
ULPA：超高空气效过滤器  Ultra low penetration air filter dz'g'J:Xq$~.om
AS ：风淋室Air shower  +g+p{!Fg;m5w(|
PB：传递箱  Pass box .qG?&Lx
CB：净化工作台Clean bench  (V#FeB|fU
RD  ：泄压风门Relief damper jctm O0P&t2`y.c?
CH.：制冷机
C.D. ：冷凝水管 A*F#\b2]*Zy
C.T. ：冷却塔
CAV ：新风量控制箱 -A2zs\:wr-d
EAF ：排风机 8F6GhM&Sp)o{#{/RM
EAD ：排风管 Q/r6p-J a3m
EAG ：排风口
EAL ：排风百叶 kkSjs$Zek
FAG ：新风口 5jy3ir?T
FAL ：新风百叶 L&J\,B-`'@'\z k0d_ |
FAF ：补风机
F.A. ：新风 p4h2fG6R)D#y^6y5X
FAD ：新风管 7c%m#FX o$A-D
F.D.：防火阀 #gr#dC0I
HC ：加热盘管
FP ：风机盘管
HX ：热交换器 (`?%x)jCP8G\9y
N.R.D.：风管止回阀
P.A.：经过处理的新风
PDA：新风管(经过处理的新风)
PAU：新风机(带处理功能)
PAL：新风百叶 SS-N3\1E4]Z|*N$N_
R.A.：回风 U%h:T!Tz C*k
RAD：回风管 {~~$c4G PDz
RAG：回风口

genesun 发表于 2007-7-12 15:34

还不错有全称更好！

Kendogg 发表于 2007-7-12 19:11

看过,马马虎虎

feiren2252 发表于 2007-7-13 12:19

哇！好多专业词汇！小弟新加入厂务部，有的学了！

我为IC狂-selina 发表于 2007-7-13 13:29

不错,可以拷给我同学看看

azysj 发表于 2007-7-15 18:46

很棒，谢谢搂主，版主，看来要好好学习！

jijiwaiwai 发表于 2007-7-29 10:02

这么多的东西.以后有得看了.顶楼主一个啊!!!!!

sunny9041 发表于 2007-8-1 17:30

又有好多好的学习材料了。。:victory:

rechard 发表于 2007-8-2 17:01

呵呵，是好东西啊。我也是刚入行，正需要这些东西，谢谢啊。以后每天拿出来学学！

seaindream 发表于 2007-9-17 16:48

好东西，多谢楼主了

VDFEPI 发表于 2007-9-18 14:25

整理这么多资料，看来很用时间，一定要订订订

kevintung 发表于 2007-9-25 09:52

好東西需要分享,謝謝樓住

Andyboy 发表于 2007-10-13 18:30

回复 #8 caolijun 的帖子

HPM=hazardous process material

stephenhe 发表于 2007-10-14 23:04

[quote]原帖由 [i]Kendogg[/i] 于 2007-7-12 19:11 发表 [url=http://www.2ic.cn/bbs/redirect.php?goto=findpost&pid=564497&ptid=325063][img]http://www.2ic.cn/bbs/images/common/back.gif[/img][/url]RXJ5fk!oE{
看过,马马虎虎 [/quote]:JX+S7]?rC
贡献点精品给大家吧.谢谢拉

ddbbww666 发表于 2008-7-16 15:56

收藏了有空的时候看看

wyug002 发表于 2008-7-23 21:35

不错好多找不到的，还是要多来看看

lxf378 发表于 2008-8-1 11:47

牛，感谢分享！！！

Tony907 发表于 2008-8-6 21:01

好东西啊，现在都需要英语了

geming 发表于 2008-9-2 20:54

等待中．．．．

感觉可以，还是可以，好东西

锈铁1984 发表于 2008-11-13 11:54

急人之所急啊,谢谢

waltev186 发表于 2008-12-22 21:53

哇，太感谢啦，这真好用

raymonds123 发表于 2008-12-25 10:42

好东东，万分感谢！

少帅发表于 2008-12-26 15:59

太多了反而看不完太烦琐，要求精简

yunflame115 发表于 2009-3-27 00:20

好东西收下了，谢谢LZ

rone_1114 发表于 2009-4-8 09:37

太感谢了，呵呵，很有用

shutong 发表于 2009-4-9 10:34

不错，谢了，多多宜~~~~~:#83)#(#

zht2004 发表于 2009-5-4 12:08

感谢感谢:P :P :P :P :#83)#(# :handshake

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