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发表于 2010-9-7 19:07:09
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据悉,三星电子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)等韩国存储器厂最快可于2012年着手量产10纳米制程Flash及20纳米制程DRAM等次世代存储器。据相关业者表示,三星和海力士率先向荷兰光刻设备巨头阿斯麦(ASML)订购研究用极紫外光源(Extreme Ultraviolet;EUV)曝光设备,以研发新制程的技术。
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每台要价约1,000亿韩元的EUV曝光设备能协助突破目前半导体微细制程20纳米制程界限的有利设备,韩国业者也期望率先进行研究,以确保未来在微细制程技术上能领先其它竞争业者。
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ASML目前自三星及海力士取得订单后正在制造EUV设备,预计2011年上半将可各自交货给2间韩厂。据悉,台积电(TSMC)也向ASML订购设备,而美光(Micron)则是下订后又取消了订单。
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6 {- Z/ y* w4 _. k5 E. kEUV曝光设备是利用波长极短的紫外线,可在硅基板上刻出更微细的电路图案。现有的曝光设备是采用193纳米的波长,但EUV设备采用13.2纳米的极端紫外光线,可以呈现更微细的半导体电路。
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专家分析,虽然目前部分半导体业者可透过采用ArF浸没式光刻和双重图形技术(DPT)量产20纳米Flash、30纳米DRAM,但采用这种微细制程的半导体生产将难以突破技术界限,发展出更微细的制程。5 |$ Z" v3 }! E( n* _, u+ {' J, W
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三星及海力士将先测试研究用EUV曝光设备,最快2012年将可开始投入量产线。业界相关人员表示,韩国业者在全球业者间率先订购研究用EUV设备,是为了确保在微细制程领域的技术能力。竞争业者将会根据市场情况也随著引进设备,而三星及海力士将可在生产次世代存储器方面占据领先地位。 |
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