AMD与Intel的制程工艺差距正在扩大

RRAM

AMD在去年出售位于纽约北部的制造工厂GLOBALFOUNDRIES时，AMD宣称此举是为了“缩小与Intel的差距”。AMD制造系统技术副总裁Tom Sonderman表示：“我们在45nm技术上与Intel相差一年，这一差距将在32nm技术上大幅缩小。到22nm的时候，我们将与Intel并驾齐驱。”

0 |. D. s+ o2 Y5 D但是一年之后，似乎这个差距变得越来越大了。Intel在今年一月推出了首款32nm“Westmere”至强处理器，而GLOBALFOUNDRIES则表示他们计划在明年年中交付32nm芯片。“32nm SOI制程符合AMD的要求，而且目前AMD是我们采用该制程工艺的唯一客户。我们已经开始了初期生产，并公开承诺他们已经给付了样品，计划（在2011年上半年）交付产品。”
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目前该公司还在开发28nm制程工艺——比32nm前进了“半个节点”——并且计划在明年交付芯片。该公司新闻发言人表示：“在28nm制程——主要针对高性能和低功耗设备——方面，我们将今年年底制造出产品，并从2011年开始量产。产品上市的时间要取决于客户，不过你可能会在2011年上半年会看到。”

6 Q. @* u9 m; f* w据UBM Techinsights高级分析师Carl Wintgens，AMD与Intel的差距不断扩大部分原因是由于两家厂商的竞争不仅在于缩小的制程工艺上，而且还在于高K-金属栅极的进程上（高K-金属栅极技术取代了沿用了40年之久的二氧化硅材料）。

Wintgens表示：“到目前为止还没有其他制造商公布他们的32nm技术，只有Intel。因为，大多数制造商将在32nm方面首次引入高K-金属栅极技术。这是非常复杂的，可能会成为推迟的原因。”
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. ]8 w# Q" ]* I) eIntel早在32nm之前的45nm工艺上就首次采用了高K-金属栅极技术。
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而且，Intel的竞争对手在高K-金属栅极技术上采取了不同的策略。Intel使用的是Gate-last工艺，这种技术的特点是在对硅片进行漏/源区离子注入操作以及随后的高温退火工步完成之后再形成金属栅极。而GLOBALFOUNDRIES与其他“IBM晶圆俱乐部”的成员采用的是传统Gate-first工艺。Wintgens表示，随着高K-金属栅极技术的采用，Gate-first工艺可能会出现一些问题。
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8 J( e* W& {* R5 w7 E“当你对硅片进行漏/源区离子注入操作的时候，你必须使用高温流程，如果栅极是金属的，那么栅极的电性会受到该流程的影响。这就是为什么最好是在漏/源区之后做金属栈极。这会在流程中引入一些复杂性，但是最终会形成一个更可靠的流程。”
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7 }8 w( J6 T5 i! K9 ~$ Z2 }根据报告显示，三星正在探索一种Gate-last工艺以迁移到22nm，考虑到Gate-first工艺只适合于一个制造“节点”——例如32nm。

GLOBALFOUNDRIES将可能成为第一个完成32nm first工艺工艺的制造商，但实际芯片的问世可能要推迟到明年年中——尽管台积电可能会赶在前面。台积电采用的是Intel Gate-last工艺。
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4 ~" b, ~  V7 X! [7 M8 o9 r* bWintgens表示，GLOBALFOUNDRIES的28nm制程仅仅是为了证明双方差距并没有扩大的一个假象。他说：“他们想说‘我们不希望在与Intel对比的时候显得太糟糕，因此我们将推出28nm。’28nm并不是一个真正的工艺点，而是一个中节点或者办节点。”

2 d% G! a! H) l1 j" E: F他甚至质疑AMD的32nm工艺是否会推向市场。GLOBALFOUNDRIES并没有谈论关于从20nm到22nm的详细计划，但是该厂商表示将于今年9月在硅谷展开的一次会事上透露相关信息。
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) I2 G+ D% `2 _5 p* a8 x; T[ 本帖最后由 RRAM 于 2010-9-8 09:43 编辑 ]

abo

HEHE，看起来如果tsmc做好了，有机会接AMD的单啊