After Developing Inspection之缩写
目的：检查黄光室制程;光阻覆盖®对准®曝光弓显影。发现缺点后，如覆盖不良、显影不良‥‥等即予修改(Rework)﹒以维产品良率、品质。
方法：利用目检、显微镜为之。
AEI蚀刻后检查
1. AEI 即After Etching Inspection，在蚀刻制程光阻去除、前反光阻去除后，分别对产品实施主检或抽样检查。
2. AEI之目的有四：
2-1提高产品良率，避免不良品外流。
2-2达到品质的一致性和制程之重复性。
2-3显示制程能力之指针。
2-4防止异常扩大，节省成本
3. 通常AEI检查出来之不良品，非必要时很少做修改。因为重去氧化层或重长氧化层可能造成组件特性改变可靠性变差、缺点密度增加。生产成本增高，以及良率降低之缺点。
Air Shower空气洗尘室
进入洁净室之前，须穿无尘衣，因在外面更衣室之故﹒无尘衣上沽着尘埃，故进洁净室之前﹒须经空气喷洗机将尘埃吹掉。
Alignment对准
目的：在IC的制造过程中，必须经过6至10次左右的对准、曝光来定义电路图案，对准就是要将层层图案精确地定义显像在芯片上面。
方法：利用芯片上的对准键﹒一般用十字键﹒和光罩上的对准键合对为之
方式：1.人眼对准，
2.用光、电组合代替人眼，即机械式对准。
ALUMINUM铝
此为金属溅镀时，所使用的一种金属材料，利用AR离子，让其撞击此种材料做成的靶表面﹒把AL原子撞击出来，而镀在芯片表面上，将此做为组件与外界导线之连接。
ANGSTROM埃
是一个长度单位，其大小为1公尺的佰亿分之一，约人的头发宽度之伍拾万分之一。此单位常用于IC制程上，表示其层(如SiO2，POLY，SIN‥)厚度时用。
APCVD (ATMOSPRESSURE)常压化学气相沉积
APCVD 为 ATMOSPHERE(大气), PRESSURE （压力）, CHEMICAL (化学), VAPOR(气相) 及 DEPOSITION (沉积) 的缩写， 也就是说， 反应气体(如 SIH4(g)，PH3（g）, B2H6和 O2 （g）) 在常压下起化学反应而生成一层固态的生成物 (如 BPSG)于芯片上。
Ashing, Stripping电浆光阻去除
l.电浆光阻去除，就是以电浆(Plasma)的方式﹒将芯片表面之光阻加以去除。
2. 电浆光阻去除的原理﹒系利用氧气在电浆中所产生之自由基(Radical)与光阻(高分子的有机物)发生作用，产生挥发性的气体，再由邦浦抽走，达到光阻去除的目的。反应机构如下示:
O + PR® CO2 ; H2O ; Polymer fragments，---
3. 电浆光阻去除的生产速率(throughput)通常较酸液光阻去除为慢﹒但是若产品经过离子植入或电浆蚀刻后﹒表面之光阻或发生碳化或石墨化等化学作用，整个表面之光阻均已变质，若以硫酸吃光阻﹒无法将表面已变质之光阻加以去除﹒故均必须先以电浆光阻去除之方式来做。
Assembly晶粒封装
以树脂或陶瓷材料﹒将晶粒包在其中﹒以达到保护晶粒，隔绝环境污染的目的，而此一连串的加工过程﹒即称为晶粒封装(Assembly)。
封装的材料不同，其封装的作法亦不同，本公司几乎都是以树脂材料作晶粒的封装﹒制程包括：
芯片切割 ® 晶粒目检 ® 晶粒上「架」(导线架，即Leadframe) ® 焊线 ® 模压封装 ®稳定烘烤(使树脂物性稳定) ® 切框、弯脚成型 ® 脚沾锡 ® 盖印®完成。
以树脂为材料之IC﹒通常用于消费性产品﹒如计算机、计算横。而以陶瓷作封装材料之IC﹒属于高信赖度之组件，通常用于飞弹、火箭等较精密的产品上。
Back Grinding晶背研磨
利用研磨机将芯片背面磨薄以便测试包装，着重的是厚度、均匀度、及背面之干净度。
一般6吋芯片之厚度约20 mil—30 mil左右，为了便于晶粒封装打线，故须将芯片厚度磨薄至10 mil--15mil左右。
Bake, Soft bake, Hard bake烘培、软烤、预烤
烘烤（Bake）:在机集成电路芯片的制造过程中，将芯片置于稍高温 (60ºC~250ºC)的烘箱内或热板上均可谓之烘烤。随其目的不同，可区分为软烤(Soft bake)与预烤(Hard bake)。
软烤(Soft bake) :其使用时机是在上完光阻后，主要目的是为了将光阻中的溶剂蒸发去除，并且可增加光阻与芯片之附着力。
预烤(Hard bake):又称为蚀刻前烘烤(pre-etch bake)，主要目的为去除水气，增加光阻附着性，尤其在湿蚀刻(wet etching)更为重要，预烤不全常会造成过蚀刻。
BOAT晶舟
BOAT原意是单木舟。在半导体IC制造过程中，常需要用一种工具作芯片传送，清洗及加工，这种承载芯片的工具，我们称之为BOAT。
一般BOAT有两种材质，一是石英，另一是铁氟龙。石英BOAT用在温度较高(大于300°C)的场合。而铁氟龙BOAT则用在传送或酸处理的场合。
B. O. E.缓冲蚀刻液
B. O. E.是HF与NH4F依不同比例混合而成。6:1 BOE蚀刻即表示HF: NH4F =l:6的成份混合而成。HF为主要的蚀刻液，NH4F则做为缓冲剂使用。利用NH4F固定[H']的浓度，使之保持一定的蚀刻率。
HF会侵蚀玻璃及任何硅石的物质， 对皮肤有强烈的腐蚀性，不小心被溅到，应用大量冲洗。
Boron硼
．自然界元素之一，由五个质子及六个中子所组成、所以原子量是11。另外有同位素，是由5个质子及5个中子所组成，原子量是 10,(B10)，自然界中这两种同位素之比例是4:1，可由磁场质谱分析中看出。
．是一种p-type离子（B11+），用来做场区、井区、VT及S/D植入。
BPSG含硼及磷的硅化物
BPSG乃介于POLY之上，METAL之下，可做为上下二层绝缘之用，加硼、磷，主要目的在使回流后的STEP较平缓，以防止METAL LINE溅镀上去后，造成断线。
CD Measurement微距测量
CD：Critical Dimension之简称。
通常于一层次中， 为了控制其最小线距，我们会制作一些代表性之量测图形于晶方中，通常置于晶方之边缘。
量测 CD之层次通常是对于线距控制较重要之层次，如氮化硅、POLY、CONT、MET…等，而目前较常用于
量测之图形有品字型
，L-BAR 等。
简言之，微距测量常当作一个重要之制程指针，可代表黄光制程之控制好坏。
Chamber真空室，反应室
专指一密闭的空间，而有特殊的用途、诸如抽真空，气体反应或金属溅镀等。因此常需对此空间之种种外在或内在环境加以控制；例如外在粒子数(particle)、湿度等及内在温度、压力、气逞流量、粒子数等达到最佳的反应条件。
Chip, Die晶粒
一片芯片(OR晶圆，即Wafer)上有许多相同的方形小单位，这些小单位即称为晶粒。
同一芯片上之每个晶粒都是相同的构造，具有相同的功能，每个晶粒经包装后，可制成一颗颗我们日常生活中常见的IC，故每一芯片所能制造出的IC数量是很可观的。同样地，如果因制造的疏忽而产生的缺点，往住就会波及成百成千个产品。
Coating光阻覆盖
将光阻剂以浸泡、喷雾、刷布、或滚压等方法加于芯片上，称为光阻覆盖，而效果最佳的方法还是使用旋转法。
旋转法乃是将芯片以真空吸附于一个可旋转拘芯片支持器上，适量的光阻剂加在芯片中央，然后芯片开始转动，芯片上的光阻剂向外流开，很均匀的散在芯片上。要得到均匀的光阻膜。旋转速率必须适中稳定，而旋转速度和光阻剂黏滞性决定所镀光阻剂的厚度。
光阻剂加上后，必须经过软烤的步骤，以除去光阻剂中过多的溶剂，进而使光阻膜较为坚硬，同时增加光阻膜与芯片的接合能力，而控制软烤效果的主要方法就是在于适当调登软烤温度与时间。
经过了以上的镀光阻膜及软烤过程，也就是完成了整个光阻覆盖的步骤。
CROSS SECTlON横截面
IC的制造，基本上是由一层一层的图案堆积上去，而为了了解堆积图案的结构，以改善制程，或解决制程问题，以电子显微镜(SEM)来观察，而切割横截面，观察横截面的方式，是其中较为普遍之一种。
Cycle Time生产周期时间
指原料由投入生产线到产品于生产线产出所须之生产/制造时间。在TI-Acer，生产周期时尚有两种解释 : 一为"芯片产出周期时间"（wafer-out time）；一为"制程周期时间" (Process cycle time)
"芯片产出周期时间"乃指单一批号之芯片由投入到产出所须之生产/制造时间。
"制程周期时间"则指所有芯片于单一工站平均生产/制造时间之总和，亦即每一工站均有一平均生产/制造时间，而各工站 (从头至尾)平均生产/制造之加总即为该制程之制程周期时间。目前TI-Acer Line Report之生产周期时间乃探用"制程周期时间"。
一般而言，生产周期时间可以下列公式概略推算之：
在制品（WIP）
生产周期时间＝
产能（Throughout）
CycleTime生产周期
IC制造流程复杂，且其程序很长﹒自芯片投入至晶圆测试完成，谓之Cycle Time。
由于IC生命周期很短，自开发、生产至销售，需要迅速旦能掌握时效。故Cycle Time愈短，竞争能力就愈高，能掌握产品上市契机，就能获取最大的利润。
由于Cycle Time长，不容许生产中的芯片因故报废或重做，故各项操作过程都要依照规范进行，且要做好故障排除。让产品顺利流程，早日出FAB，上市销售。
Descume电浆预处理
1﹒电浆预处理，系利用电浆方式(Plasma)，将芯片表面之阻加以去除，但其去光阻之时间，较一般电浆光阻去除 (Stripping)为短。其目的只是在于将芯片表面之光阻因显影预烤等制程所造成之光阻毛边或细屑(Scum)加以去除，以使图形不失真，蚀刻出来之图案不会有残余。
2﹒有关电浆，去除光阻之原理，请参阅「电浆光阻去除」( Ashing)。 3﹒通常作电浆预处理，均以较低之压力，较小之功率为之，也就是使光阻之蚀刻率降得很低﹒使得均匀度能提高，以保持完整的图形，达到电浆预处理的目的。
Diffusion扩散
在一杯很纯的水上点一滴红墨水，不久后可发现水表面颜色渐渐淡去，而水面下渐渐染红，但颜色是愈来愈淡，这即是扩散的一例。在半导体工业上常在很纯的硅芯片上以预置或离子布植的方式做扩散源(即红墨水)。因固态扩散比液体慢很多(约数亿年)，故以进炉管加高温的方式，使扩散在数小时内完成。
DI WATER去离子水
IC制造过程中，常需要用酸碱溶液来蚀刻，清洗芯片。这些步骤之后， 又须利用水把芯片表面残留的酸碱清除。而且水的用量是相当大。
然而IC工业用水，并不是一般的自来水，而是自来水或地下水经过一系列的纯化而成。原来自来水或地下水中，含有大量的细菌，金属离子及 PARTICLE，经厂务的设备将之杀菌过滤和纯化后，即可把金属离子等杂质去除，所得的水即称为"去离子水"。专供IC制造之用。
Soft Ware, Hard Ware软件，硬件
大略而言，所谓硬件可泛指像PC-BOARD，机台外壳等一些零组件;而软件一般指运用程序，指令一套完整之控制系统，可经由程序、指令之修改而修改，以人为例子，软件就好比脑中之记忆、思想，可控制整个身体各部分之动作，而硬件就好比人的手、足、眼、耳等器官;由以上之比喻，可知道软件、硬件是相辅相成，缺一不可。
近来尚有一种介于Soft Ware、Hard Ware之间，称为Firm-Ware，他的功用，就相当于把软件写入(比如PROM)。以加快速度，因此软、硬间的区分也变得较不明显了。
SOLVENT溶剂
1﹒两种物奸相互溶解混合成一种均匀的物质时，较少的物质被称为溶质，较多的物质，被称为溶剂。例如:糖溶解于水中．变成糖水，则糖为溶质，水为溶剂，混合的结果，称为溶液。
2﹒溶剂分有机溶剂典无机溶剂两种:
2-1．有机溶剂:分子内含有碳(C)原子的，称为有机溶剂，例如:丙砚
(CH3COCH3),IPA(CH3CHOHCH3)
2-2．无机溶剂:分子内不含有碳(C)原子的称为无机溶剂
例如:硫酸(H2SO4)，轻氟酸(HF)
3．在FAB内所通称的溶剂，一般是指有机溶剂而言
Stepper步进式对准机
Stepper(步进式对准机)系Step Projection Aligner之简称。
Stepper与Project Aligner原理类似，只是将每片芯片分为20~60次曝光完成。
Stepper使用自动对准，不但迅速、精准，且可始用计算机计算、补偿。对准方式可分为 Global、 Die by Die、Advanced Global Alignment。 此三种方式均可补偿因芯片形变造成之对准不良 (如Run in/Run out)。
Stepper亦可按缩影比例，分为1X、5X、10X三种。以最常见之5X为例，光罩上一条5μ 之直线，曝在芯片上，仅lμ而已。
Surface States表面状态
表面状态是介在Si-SiO2界面的正电荷，也叫做Interface States。
形成表面状态的原因，是作氧化步躬时Si会从表面移去而与O2反应。当氧化停止时，有些离子Si会留在靠近界面处。这些未完全键结的Si离子会沿着表面形成一条正电荷Qss。电荷大小决定于下列因素：氧化速率、后续热处理步骤及Crystal Orientation。
在{111}表面，良好的氧化步骤下，其表面状态密度的为5xlO10。charges/cm2(i.e. Qss＝5xlO10q）。
而对于{100}的表面状态密度约为{111}表面的1/3。
TECN Temporary Engineering Change Notice临时性制程变更通知
临时工程变更通知 (ECN)为工程师为了广泛收集资料，或暂时解决制程问题，而做的制程变更，此一临时性的变更将注明有效期限，以利生产作业。
Through Put产量
Through Put为单位工时之产出量，例姐某机器每小时生产100片，则称其Through put = lOO片/小时。如果每天运作21小时，则每天的Through put为2100片/天。
IC工业系许多昂贵且精密的设备投资，故必须充分利用，维持生产的顺畅，发挥其最大的效能。故高的Through put为我们评估机器设备的一项很重要的因素之一。
除了设备上发挥其最大产能外，必须要配合人为的力量，如流程安排、故障排除、‥‥等，亦即必须"人机一体"才能发挥生产的整体效益，达到最高的生产力(Productivity)。
Trouble Shooting故障排除
在生产过程，因为4M，即设备、材料、人为、方法等，造成之一切问题而阻碍生产。例如，机器Down机、制程异常…等。工程人员解决以上所发生的问题，使这些"故障"消弭于无形谓之Trouble Shooting，故障排除。
Uniformity均匀度
均匀度Uniformity是一种测量值的平均分布。藉以表示芯片内各测量点的数值或是芯片间其测量值的变化。在IC制程中，常用以表示薄膜厚度，线宽（CD）在整片芯片内或芯片间的分布。其表示方法如下：
均匀度愈小，表示各点变化愈小。亦即表示芯片制程品质较佳，也是制程能力愈好的表现。
Vacuum真空
真空系针对大气而言，一特定空间内的部份气体被排出，其压力小于1大气压。
表示真空的单位相当多，在大气的情况下，通称为l大气压，也可表示为760torr或760mmHg或14.7psi。
真空技术中，将真空依压力大小分为4个区域：
1.粗略真空(Rough Vacuum) : 760~1 torr
2.中度真空(Medium Vacuum): 1~10-3 torr
3.高真空 (High Vacuum) : l0-3~10-7torr
4.超高真空(Ultra-High Vacuum): 10-7torr以下
在不同真空，气体流动的型式与热导性等均有所差异，简略而言，在粗略真空，气体的流动称为黏滞流(Viscous Flow)。其气体分子间碰撞频繁，且运动具有方向性;在高真空或超高真空范围，气体流动称为分子流(Molecular Flow)，其气体分子间碰撞较少，且少于气体与管壁碰撞的次数，气体分子运动为随意方向，不受抽气方向影响。在热导性方面，中度真空之压力范围其与压力成正比关系﹒粗略真空与高真空区域，则无此关系。
